PNP bipolära transistorer

NPN-transistor. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 25mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 450 MHz. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 100mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 830mW. Spec info: komplementär transistor (par) BF420. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 250V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 100A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.83W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BF422. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BF450. Gränsfrekvens ft [MHz]: 350 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

NPN-transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 25mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 350 MHz. Funktion: HF- och IF-steg i radiomottagare. Max hFE-förstärkning: 90. Minsta hFE-förstärkning: 30. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

NPN-transistor, 0.03A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Kollektorström: 0.03A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Pd (effektförlust, max): 2W. Spec info: komplementär transistor (par) BF471. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 50mA, 30 v. Kollektorström: 50mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 50mA, 30 v. Kollektorström: 50mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: VHF/UHF-V. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 350V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 30mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 550 MHz. Funktion: VHF-V. Minsta hFE-förstärkning: 25. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 35V. Vebo: 4 v

NPN-transistor, TO-92, TO-92. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Antal per fodral: 1. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort

NPN-transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 25mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 700 MHz. Funktion: VHF-oscillator. Minsta hFE-förstärkning: 30. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: DB. Gränsfrekvens ft [MHz]: 60 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Kollektorström: 0.03A. Hölje: SOT-39. Hölje (enligt datablad): SOT-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorström: 50mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 1W. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 20V, 25mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Pnp bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor. Antal per fodral: 1. Funktion: UHF-V

NPN-transistor, 30mA, TO-50, TO-50, 40V. Kollektorström: 30mA. Hölje: TO-50. Hölje (enligt datablad): TO-50. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Pd (effektförlust, max): 0.15W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, 30mA, 20V. Kollektorström: 30mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF-V. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-264. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BFN37. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 12V. Samlarström Ic [A], max.: 35mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP -transistor med hög frekvens. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: X1p. Gränsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 150 Ohms. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: hög DC-ström, relädrivrutiner, lampdrivrutiner. Max hFE-förstärkning: 2000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 2A. Pd (effektförlust, max): 1.25W. Spec info: komplementär transistor (par) BSP50. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BSP62. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: hFE 50...300. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Spec info: screentryck/CMS-kod T8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V