PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-93. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-93. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW84D. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Antal terminaler: 3. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDW83D

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW94C. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: komplementär transistor (par) BDW93C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 33W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Funktion: komplementär transistor (par) BDW93CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Motstånd B: 10k Ohms. BE-motstånd: 150 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Max hFE-förstärkning: 750. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. C(tum): ja. Kostnad): -100V. Antal terminaler: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: komplementär transistor (par) BDX33C. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDX34CG. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Produktionsdatum: 2014/32. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Komplementära krafttransistorer från Darlington. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Motstånd B: Darlington Power Transistor. BE-motstånd: Darlington transistor. C(tum): -100V. Kostnad): -8A. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: komplementär transistor (par) BDX53C. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: ljudförstärkare. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 8A, TO-220, 160V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-motstånd: R1 typ. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementära krafttransistorer från Darlington. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 12A. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDX53F. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7 MHz. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Funktion: hFE 1000. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDX67C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7 MHz. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Funktion: hFE 1000. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDX67C

NPN-transistor, 4A, 50V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Pd (effektförlust, max): 36W. Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1

NPN-transistor. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 25mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Halvledarmaterial: kisel. FT: 450 MHz. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 100mA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 830mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BF420. CE-diod: ja

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 250V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 100A. Pd (effektförlust, max): 0.83W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BF422

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BF450. Gränsfrekvens ft [MHz]: 350 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. Spec info: feedback capacitance--0.45pF

NPN-transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 25mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 350 MHz. Funktion: HF- och IF-steg i radiomottagare. Max hFE-förstärkning: 90. Minsta hFE-förstärkning: 30. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.03A, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 0.03A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Pd (effektförlust, max): 2W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BF471

NPN-transistor, 50mA, 30 v. Kollektorström: 50mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Halvledarmaterial: kisel. Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 50mA, 30 v. Kollektorström: 50mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: VHF/UHF-V. Typ av transistor: PNP. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, -250V, -0.5A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: -250V. Kollektorström: -0.5A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Effekt: 0.8W

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Kostnad): 1.6pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 350V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 30mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 550 MHz. Funktion: VHF-V. Minsta hFE-förstärkning: 25. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 35V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, TO-92, TO-92. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 25mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Halvledarmaterial: kisel. FT: 700 MHz. Funktion: VHF-oscillator. Minsta hFE-förstärkning: 30. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1