NPN-transistor, 0.15A, 60V - KSA733-Y
| Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 4.84kr | 6.05kr |
| 10 - 24 | 4.60kr | 5.75kr |
| 25 - 49 | 4.36kr | 5.45kr |
| 50 - 99 | 4.12kr | 5.15kr |
| 100 - 249 | 4.02kr | 5.03kr |
| 250 - 499 | 3.92kr | 4.90kr |
| 500+ | 3.73kr | 4.66kr |
| Kvantitet | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 4.84kr | 6.05kr |
| 10 - 24 | 4.60kr | 5.75kr |
| 25 - 49 | 4.36kr | 5.45kr |
| 50 - 99 | 4.12kr | 5.15kr |
| 100 - 249 | 4.02kr | 5.03kr |
| 250 - 499 | 3.92kr | 4.90kr |
| 500+ | 3.73kr | 4.66kr |
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
NPN-transistor, 0.15A, 60V - KSA733-Y. NPN-transistor, 0.15A, 60V. Kollektorström: 0.15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: PNP. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 06:25.
Motsvarande produkter :
BC212B
NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt data...
NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: PNP transistor. BE-motstånd: -50V. C(tum): -0.1A. Kostnad): 1W. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: PNP transistor. BE-motstånd: -50V. C(tum): -0.1A. Kostnad): 1W. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2SA733
NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt databl...
NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 0.5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V
NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 0.5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.