NPN-transistor, 300V, 500mA, PCB-lödning, TO-225, TO-225 - MJE350G

NPN-transistor, 300V, 500mA, PCB-lödning, TO-225, TO-225 - MJE350G. NPN-transistor, 300V, 500mA, PCB-lödning, TO-225, TO-225. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Tillverkarens märkning: MJE350G. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Originalprodukt från tillverkaren Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 26/07/2025, 10:25.