Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 7.68kr | 9.60kr |
5 - 9 | 7.30kr | 9.13kr |
10 - 24 | 6.91kr | 8.64kr |
25 - 49 | 6.53kr | 8.16kr |
50 - 99 | 6.37kr | 7.96kr |
100 - 249 | 5.41kr | 6.76kr |
250 - 498 | 5.15kr | 6.44kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 7.68kr | 9.60kr |
5 - 9 | 7.30kr | 9.13kr |
10 - 24 | 6.91kr | 8.64kr |
25 - 49 | 6.53kr | 8.16kr |
50 - 99 | 6.37kr | 7.96kr |
100 - 249 | 5.41kr | 6.76kr |
250 - 498 | 5.15kr | 6.44kr |
NPN-transistor, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE210G. NPN-transistor, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 5A. Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kostnad): 120pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65MHz. Pd (effektförlust, max): 15W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE200. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.