Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 24.95kr | 31.19kr |
5 - 9 | 23.71kr | 29.64kr |
10 - 18 | 22.46kr | 28.08kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 24.95kr | 31.19kr |
5 - 9 | 23.71kr | 29.64kr |
10 - 18 | 22.46kr | 28.08kr |
NPN-transistor, 10A, TO-3P ( H ) IS, 120V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - KTB778. NPN-transistor, 10A, TO-3P ( H ) IS, 120V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-3P ( H ) IS. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kostnad): 280pF. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: Högeffekts ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 55. Märkning på höljet: B778. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) KTD998. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 06:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.