NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V - KTB778

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V - KTB778. NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3P ( H ) IS. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 280pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: Högeffekts ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 55. Märkning på höljet: B778. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: komplementär transistor (par) KTD998. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren Korea Electronics Semi.. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 10:25.