NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 80V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 83W. Spec info: komplementär transistor (par) D45VH10. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 90 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Kollektorström: 50mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SC-59. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 10k Ohms. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 10k Ohms. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: DTR.. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 24. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.2W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 24. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Effekt: 0.2W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 4.7k Ohms. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd. Minsta hFE-förstärkning: 200. obs: screentryck/SMD-kod 33. Märkning på höljet: *33, P33, t33, w33. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Produktionsdatum: 2014/49. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 18. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorström: 0.03A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 47k Ohms. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 47k Ohms. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Märkning på höljet: 26. Spec info: screentryck/SMD-kod 26. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, SC-72. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SC-72. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.3W. BE-motstånd: 47k+22k Ohms. Maxfrekvens: 250MHz

NPN-transistor, 100A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Kollektorström: 100A. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Power Darlington NPN-transistormodul. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 300. Ic(puls): 150A. obs: Skruvad. Antal terminaler: 4. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 225W. RoHS: ja. Spec info: Single Dual Emitter. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Typ av transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.25V. Vebo: 7V

NPN-transistor, ISOTOP, 84A. Hölje: ISOTOP. Samlarström Ic [A], max.: 84A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konfiguration: Skruvad. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: ESM6045DV. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Högspänningsfärgskärm horisontell avböjning . Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 20A. obs: screentryckt. Märkning på höljet: J6810. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Höghastighetsväxling. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: J6810A. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. CE-diod: ja. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: High V Color Display Hor Defl (med spjälldiod) . Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 20A. obs: screentryckt J6810. Märkning på höljet: J6810D. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. CE-diod: ja. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Högspänningsfärgskärm horisontell avböjning . Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 24A. obs: screentryckt J6812. Märkning på höljet: J6812. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Kollektorström: 17A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Märkning på höljet: J4315O. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) FJL4215-O. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 20A, TO-247, TO-247, 750V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 19 tums skärm. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Spec info: VEBO 6V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V

NPN-transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspänningsfärgskärm horisontell avböjning . Max hFE-förstärkning: 8.5. Minsta hFE-förstärkning: 5.5. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Minsta hFE-förstärkning: 30. Ic(puls): 300mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 110pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: J13007. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 110pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 28. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: J13007-1. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 110pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 39. Minsta hFE-förstärkning: 26. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: J13007-2. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 180pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 17. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: J13009. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 180pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 28. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: J13009-2. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 9V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 619. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 165 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: hFE 5000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) FP1016. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 0.3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 0.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZT458. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 7A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 7A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZT849. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C