NPN bipolära transistorer

NPN-transistor. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 24A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 800V. Kollektorström: 24A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA hi-res (F). Ic(puls): 36A. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: 0.17...0.31us. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.95V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 10V

NPN-transistor. Antal per fodral: 1. Funktion: HA, hi-def. obs: 0.2. Spec info: MONITOR

NPN-transistor. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Funktion: HA, hi-def. obs: 0.2. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Max hFE-förstärkning: 47. Minsta hFE-förstärkning: 29. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Spec info: "Epitaxiell plan transistor". Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126ML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 160...320. Spec info: komplementär transistor (par) HSB1109. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Kollektorström: 500mA. Hölje: TO-5. Hölje (enligt datablad): TO-5. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 35...125. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Spec info: Lo-Pwr BJT. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Spec info: TO-92M. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Spec info: TO-92M. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Spec info: TO-92M. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.7A, 140V. Kollektorström: 0.7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V

NPN-transistor, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Kollektorström: 200mA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: Färg-TV Chroma Output (VID-L). Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 70. Märkning på höljet: C1507 O. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Kollektorström: 200mA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: Färg-TV Chroma Output (VID-L). Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: C1507 Y. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 3L (AMMO). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 300. Märkning på höljet: C1845. Ekvivalenta: 2SC1845. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) KSA992. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.07V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 3L (AMMO). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 300. Märkning på höljet: C1845. Ekvivalenta: 2SC1845. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) KSA992. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.07V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.7A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 170 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 50pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: TV Vertikal avböjningsutgång. Max hFE-förstärkning: 125. Minsta hFE-förstärkning: 60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) KSA940. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 50pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: TV Vertikal avböjningsutgång. Max hFE-förstärkning: 125. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) KSA940. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L (9mm magas). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 70. Märkning på höljet: C2310 O. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L (9mm magas). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: C2310 Y. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, 30 v. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Motstånd B: 10. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 10. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Motstånd B: 10. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 10. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: 0501-000367. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: 9mm höjd. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Kollektorström: 0.7A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 60pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: hFE 120...240. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 60pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 10A. Märkning på höljet: KSC5027 (O). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 60pF. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 7V