NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 15A, 650V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: NF-L, TO-264. Pd (effektförlust, max): 170W. Spec info: TO-3PBL. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO–3PBL. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJL21193. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 250V, 16A, TO-264. Collector-Emitter Voltage VCEO: 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-264. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Effekt: 200W

NPN-transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Spec info: komplementär transistor (par) MJL21195. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 260V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 45. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJL1302A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Funktion: Effektljud, låg harmonisk distorsion. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJL4302A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon Power Bipolar Transistor. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-247, TO-247, 400V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Utmärkt förstärkningslinjäritet. Max hFE-förstärkning: 80. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJW21195. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.8pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Produktionsdatum: 201444 201513. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJW1302A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Power bipolär transistor. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, SOT23, 40V. Hölje: SOT23. Collector-Emitter Voltage VCEO: 40V. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. Polaritet: NPN. Effekt: 0.25W. VCBO med kollektorbas: 75V. Monteringstyp: SMD. Bandbredd MHz: 250MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 30. Nuvarande Max 1: 0.6A

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: UNI. Minsta hFE-förstärkning: 100. Märkning på höljet: 1 P. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: SMD 1P. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 600mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1P. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 200mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1S. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1.2A. Märkning på höljet: 2F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Spec info: SMD '2F'. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 200mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1AM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 200mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1AM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 0.9A. Märkning på höljet: 2x. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: screentryck/CMS-kod 2X. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 30 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2L. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Märkning på höljet: 2 L. Ekvivalenta: MMBT5401LT1G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. Spec info: screentryck/SMD-kod (2Lx datumkod). Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 60. Märkning på höljet: G1. Ekvivalenta: MMBT5551LT1G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod G1 (3S Fairchild). Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 600mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G1. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1GM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1GM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Högspänningsförstärkare transistor (SMD -version av MPSA42 -transistorn). Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. obs: 1D. Märkning på höljet: 1D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 240mW. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MMBTA92. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1D. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 5mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3EM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 650 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 9pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 350. Minsta hFE-förstärkning: 200. Märkning på höljet: Y1. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V