NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.1A, 40V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. obs: 0.3W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 11pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: NF/L. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, TO-92, TO-92. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. BE-diod: NINCS. Kostnad): 0.8pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 20mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 800 MHz. Funktion: FM-V/M/O. Max hFE-förstärkning: 198. Minsta hFE-förstärkning: 40. Märkning på höljet: 15.8k Ohms. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

NPN-transistor, 3A, 80V. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: hFE 20...90. obs: T32. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 0.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 11 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 210V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspänningstransistor för CRT i standardupplösning. Max hFE-förstärkning: 8.5. Minsta hFE-förstärkning: 5.5. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 57W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 0.55pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspänningstransistor för CRT i standardupplösning. Max hFE-förstärkning: 7.5. Minsta hFE-förstärkning: 5.5. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 57W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Kollektorström: 12A. Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): TO-218-FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: FAST-SWITCH. Max hFE-förstärkning: 7. Minsta hFE-förstärkning: 4.5. Ic(puls): 18A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 58W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: FAST-SWITCH. Max hFE-förstärkning: 18. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 58W. RoHS: ja. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-78. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-78. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Antal per fodral: 2. Effekt: 0.46W

NPN-transistor, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Kollektorström: 14A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 64kHz. Funktion: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Produktionsdatum: 2014/17. Max hFE-förstärkning: 8.5. Minsta hFE-förstärkning: 6. Ic(puls): 21A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 62W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.5pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.6us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 8V

NPN-transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.6us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 8V

NPN-transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Kollektorström: 50A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 60A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 250V. Kollektorström: 60A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 7pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 75...1000. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorström: 30A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 4pF. Kostnad): TO-204AA. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): +200°C. obs: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). obs: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11015. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorström: 50A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Max hFE-förstärkning: 18000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 100A. Pd (effektförlust, max): 300W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11033. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 50A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ11032G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 20A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15003G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 140V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15004. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 70. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Pd (effektförlust, max): 180W. Spec info: Motorola. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 70. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 10. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15016. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Pd (effektförlust, max): 250W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15023. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 350V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Högeffektsljud. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15023. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V