NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Högeffektsljud. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15025. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 16A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15024G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 16A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ21194G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ21195. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V

NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorström: 30A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. C(tum): 30pF. Kostnad): 8.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 30A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 30A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ802G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, 8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J44H11. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 85 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, 8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J44H11. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 85 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Kollektorström: 8A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): DPAK CASE 369C. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 45pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 85 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: 44H11G. Ekvivalenta: MJD44H11G, MJD44H11J. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJD45H11T4G. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Tf (typ): 140 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Kollektorström: 8A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): DPAK CASE 369C. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 45pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 85 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: 45H11G. Ekvivalenta: MJD45H11G, MJD45H11J. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJD45H11T4G. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Tf (typ): 140 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 14 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Höghastighetsomkoppling. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Bipolär krafttransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 14 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Höghastighetsomkoppling. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Bipolär krafttransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 8A, 400V, 8A, TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220AB. Tillverkarens märkning: MJE13007G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Effekt: 80W. Maxfrekvens: 14 MHz

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 12A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 12A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE13009G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15031. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 150V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15031G. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 50W. Maxfrekvens: 30MHz

NPN-transistor, 250V, 8A, TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 250V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 50W. Maxfrekvens: 30MHz

NPN-transistor, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V, 250V, 8A. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 250V. Kollektorström: 8A. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: MJE15032G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 30 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15033. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 50W. Maxfrekvens: 30MHz

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15035G. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13 MHz. Funktion: Växlingsläge Strömförsörjningsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 34. Minsta hFE-förstärkning: 12:1. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE18004G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 13 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 6A, 450V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 14 MHz. Funktion: SMPS. Pd (effektförlust, max): 100W. Spec info: SWITCHMODE. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. C(tum): 1750pF. Kostnad): 100pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13MHz. Funktion: Växlingsläge Strömförsörjningsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 14. Minsta hFE-förstärkning: 34. Ic(puls): 16A. Pd (effektförlust, max): 120W. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V

NPN-transistor, 1000V, 8A, TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1000V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Ansökningar: växlande. Effekt: 120W