NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65MHz. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 45. Pd (effektförlust, max): 15W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE210. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Funktion: Höghastighetsväxling, Audio. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 15W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE253. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 7V. Motstånd B: NPN Power Transistor. BE-motstånd: 100V. C(tum): 4A. Kostnad): 15W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE3055T. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE2955T. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE2955T. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, SOT-32, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-32. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-126. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE340. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 240. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V

NPN-transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( TO-225 ), 500V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126 ( TO-225 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 30pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L, VID.. Ekvivalenta: KSE340. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V

NPN-transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 30pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. obs: plasthus. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE340G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). CE-diod: ja. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 50. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(min): 2us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V

NPN-transistor, 400V, 8A, TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Effekt: 100W

NPN-transistor, 1.5A, 60V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1000pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE800G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE803. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1000V, 5A, TO-220-F. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1000V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220-F. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Ansökningar: växlande. Effekt: 35W. Maxfrekvens: 13MHz

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13 MHz. Funktion: (F). Pd (effektförlust, max): 35W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: (F). Pd (effektförlust, max): 45W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 50. Kostnad): 156pF. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 18. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.83V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 15A, 650V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: NF-L, TO-264. Pd (effektförlust, max): 170W. Spec info: TO-3PBL. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO–3PBL. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJL21193. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 250V, 16A, TO-264. Collector-Emitter Voltage VCEO: 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-264. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Effekt: 200W

NPN-transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Spec info: komplementär transistor (par) MJL21195. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 260V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 45. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJL1302A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Funktion: Effektljud, låg harmonisk distorsion. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJL4302A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon Power Bipolar Transistor. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-247, TO-247, 400V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Utmärkt förstärkningslinjäritet. Max hFE-förstärkning: 80. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJW21195. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V