NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 30. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V

NPN-transistor, 400V, 1A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 1W

NPN-transistor, 50V, 3A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.75W. Maxfrekvens: 90MHz

NPN-transistor, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Kollektorström: 18A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PMLH. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Hög hastighet.. Max hFE-förstärkning: 15. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 35A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 85W. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Tf(max): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FI. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 110pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Vbe(sat)1.5V. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Spec info: med polarisationsmotstånd Rbe. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 800V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FI. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 110pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Färg-TV Horisontell avböjning Utgångsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: med polarisationsmotstånd Rbe. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Färg-TV Horisontell avböjning Utgångsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 20A. Pd (effektförlust, max): 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V

NPN-transistor, 10A, 800V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V

NPN-transistor, EMT6. Hölje (enligt datablad): EMT6. Antal per fodral: 2. obs: screentryck/SMD-kod H21. Märkning på höljet: H21. Antal terminaler: 6. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: *SMD SO6*

NPN-transistor, EMT6. Hölje (enligt datablad): EMT6. Antal per fodral: 2. obs: screentryck/SMD-kod H9C. Märkning på höljet: H9C. Antal terminaler: 6. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: *SMD SO6*

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: INFI->PANAS. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 120pF. CE-diod: NINCS. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: unijunction transistor UJT, hi-beta, lo-sat. Max hFE-förstärkning: 1200. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX788. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.03V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 15pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX550. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 15pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX551. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Kollektorström: 300mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Högspänningstransistor. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 50pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 240 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.23V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Kostnad): 30pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 175 MHz. Funktion: Mycket låg mättnad VBE(sat) 0,9V. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.13V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX753. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX790. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: Mycket låg mättnad VBE(sat)0,92V. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.58W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 6V