NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 3pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 14 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Bipolär krafttransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 9V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, 400V, 8A, TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220AB. Tillverkarens märkning: MJE13007G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Effekt: 80W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15031. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 150V. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Polaritet: NPN. Effekt: 50W. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15031G

NPN-transistor, 250V, 8A, TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 250V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Polaritet: NPN. Effekt: 50W

NPN-transistor, TO-220, 8A, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Collector-Emitter Voltage VCEO: 250V. Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Tillverkarens märkning: MJE15032G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 30 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Polaritet: NPN. Effekt: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15033

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15035G. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13 MHz. Funktion: Växlingsläge Strömförsörjningsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 34. Minsta hFE-förstärkning: 12:1. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 9V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE18004G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 13 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 6A, 450V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 14 MHz. Funktion: SMPS. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Spec info: SWITCHMODE. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. C(tum): 1750pF. Kostnad): 100pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13MHz. Funktion: Växlingsläge Strömförsörjningsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 14. Minsta hFE-förstärkning: 34. Ic(puls): 16A. Pd (effektförlust, max): 120W. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1000V, 8A, TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1000V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Effekt: 120W

NPN-transistor, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 5A. Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kostnad): 80pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65MHz. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 45. Pd (effektförlust, max): 15W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE210. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 4A. Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-motstånd: 100V. C(tum): 4A. Kostnad): 15W. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Funktion: Höghastighetsväxling, Audio. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE253. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE3055T. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE2955T

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE2955T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-32. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-126. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE340. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 240. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350

NPN-transistor, 0.5A, TO-126 ( TO-225 ), 500V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 0.5A. Hölje (enligt datablad): TO-126 ( TO-225 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L, VID.. Ekvivalenta: KSE340. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. obs: plasthus. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE340G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-motstånd: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Konditioneringsenhet: 50. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 50. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(min): 2us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 400V, 8A, TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Effekt: 100W

NPN-transistor, 1.5A, 60V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 1000pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE800G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C