NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 900V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 900V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 10. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Dyn Focus. Pd (effektförlust, max): 4W. Spec info: HV switch. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 8A, 800V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 10. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". obs: MONITOR. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-3PF (SOT399). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 10. CE-diod: ja. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Max hFE-förstärkning: 22. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: C5386. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: VEBO 6V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 4.2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA (F). Pd (effektförlust, max): 60W. Spec info: Monitor 68KHz. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 90pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA (F). Pd (effektförlust, max): 60W. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA (F). Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: C5803. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V

NPN-transistor, 0.03A, 35V. Kollektorström: 0.03A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Spec info: 12149301860. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.03A, 35V. Kollektorström: 0.03A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Spec info: 62137301900. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.05A, 30 v. Kollektorström: 0.05A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. obs: hFE 350...700. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Spec info: 0501-000394. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 150mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Pinout: 1. C(tum): 1.5pF. Kostnad): 11pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) KSA733. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 150mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Pinout: 1. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) KSA733. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 35pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 150. Märkning på höljet: D2012-G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) KSB1366. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon NPN Triple Diffused Type. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 3.5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorström: 3.5A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA (isolerad). Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Kostnad): 20pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Högspänningsfärgskärm horisontell avböjning . Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: 0.1...0.3us. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 5A, 100V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 30W. Spec info: 12149-401-070. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Pd (effektförlust, max): 10W. Spec info: SD882-Y. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 180pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: "Högspänningsomkopplarläge". Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 24A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Höghastighetsomkoppling. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 4A, 60V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. obs: b>750. Pd (effektförlust, max): 40W. Spec info: 0503-000001. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 600mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 600mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 8pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SW. Märkning på höljet: R1002. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 22k Ohms. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 22k Ohms. Kostnad): 100pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: SW. Märkning på höljet: R1003. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SW. Märkning på höljet: R1007. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 0.1A, 40V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, 40V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Typ av transistor: NPN