NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, TO3, 120V. Hölje: TO3. Collector-Emitter Voltage VCEO: 120V. Typ: Darlington transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 200W. VCBO med kollektorbas: 120V. Monteringstyp: Chassifäste. Bandbredd MHz: 4MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 200. Nuvarande Max 1: 30A. Serie: MJ11016

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 30A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 30A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ11016G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorström: 50A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Max hFE-förstärkning: 18000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 100A. Pd (effektförlust, max): 300W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11033. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 50A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ11032G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V, 20A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Kollektorström: 20A. RoHS: ja. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15004. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: Krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 25

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 70. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Pd (effektförlust, max): 180W. Spec info: Motorola. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 70. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 10. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15016. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Pd (effektförlust, max): 250W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15023. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 350V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Högeffektsljud. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15023. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Högeffektsljud. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15025. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 16A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15024G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 16A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ21194G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ21195. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V

NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorström: 30A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. C(tum): 30pF. Kostnad): 8.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 30A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 30A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ802G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, 8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J44H11. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 85 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, 8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J44H11. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 85 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 14 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Höghastighetsomkoppling. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Bipolär krafttransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 14 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Höghastighetsomkoppling. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Bipolär krafttransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 9V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE13007G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 12A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 12A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE13009G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15031. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15031G. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE15032G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 30 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15033. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15035G. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN