NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 4A, 350V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 9 MHz. Funktion: S-L, SN. Pd (effektförlust, max): 55W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 600V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 50A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUV20. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 125V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 8 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 CASE 221A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 190V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Designad för höghastighetsapplikationer. Ic(puls): 30A. Pd (effektförlust, max): 85W. RoHS: ja. Tf(max): 150 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Snabb växlingshastighet. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 15A, 150V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 85W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V

NPN-transistor, TO-247, 15A, TO-247, 450V, 1000V, 15A. Hölje: TO-247. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1000V. Kollektorström: 15A. RoHS: ja. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUV48A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 8. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 7V. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Ansökningar: växlande

NPN-transistor, 5A, 400V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V

NPN-transistor, 5A, TO-3PN, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: högspänning, snabbväxling. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 5A, 400V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 32W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V

NPN-transistor, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 50. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 10A, 400V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 32W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V

NPN-transistor, 15A, TO-3PN, 400V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 175W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUX48A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Maximal förlust Ptot [W]: 175W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 2A, 400V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Funktion: S. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 450V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 2A, TO-220, 450V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUX85G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 450V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Motstånd B: Krafttransistor. BE-diod: NPN. BE-motstånd: växlande. C(tum): 1000V. Kostnad): 0.5A. CE-diod: 40W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-82. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUX87P. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Maximal förlust Ptot [W]: 42W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 25 MHz. Funktion: S-L. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V

NPN-transistor, 2A, 800V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 2200V

NPN-transistor, 10A, 200V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 280V

NPN-transistor, 400V, 8A, TO-220AB (MJE13007). Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220AB (MJE13007). Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Effekt: 80W. Maxfrekvens: 4MHz

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 130pF. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: D44H11. Ekvivalenta: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) D45H11. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D44H11G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 10A, TO-220, TO-220, 60V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D44H8. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Typ av transistor: NPN. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D44H8G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C