NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 2.5A, 700V. Kollektorström: 2.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, 700V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA SMPS. obs: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V. Pd (effektförlust, max): 100W. Spec info: TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, 700V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SMPS (F). Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: TO-220F (SOT186). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, PCB-lödning, ITO-218, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-218. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-199. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BU508AF. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 700V. Maximal förlust Ptot [W]: 34W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, 700V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 34W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 1500V, 8A, TO-247. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1500V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-247. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Ansökningar: växlande. Effekt: 125W

NPN-transistor, 8A, 700V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 34W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, PCB-lödning, ISOWATT-218, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ISOWATT-218. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BU508DFI. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 700V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 7 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, 480V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 480V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-SN. Pd (effektförlust, max): 62W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 330V/200V. Maximal förlust Ptot [W]: 90W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 330V/ 200V. Maximal förlust Ptot [W]: 90W

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FH. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 42W. Spec info: TO-220FH. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. BE-motstånd: 42 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 230. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 62W. RoHS: ja. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. BE-motstånd: 260 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 60...230, isolerat plasthus. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 62W. Spec info: hösttid 0,8us. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 450V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BU941ZP. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 350V. Maximal förlust Ptot [W]: 155W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

NPN-transistor, 15A, 400V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. obs: >300. Pd (effektförlust, max): 65W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V

NPN-transistor, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Kollektorström: 10A. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hösttid 625ns. Max hFE-förstärkning: 3400. Minsta hFE-förstärkning: 500. Spec info: 360-450V Clamping. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: HV-POWER. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 30A, TO-247, TO-247, 450V. Kollektorström: 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Ic(puls): 60A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Högspännings snabbomkopplande krafttransistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Högspänning Multi Epitaxial Planar Technology". Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Kollektorström: 14A. Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): TO-218-ISO. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 14. Minsta hFE-förstärkning: 7. Ic(puls): 18A. obs: hi-res, monitor 19. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Spec info: Icmax--18A <5mS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218 ( SOT93 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Högspänningstransistor med snabb koppling. Max hFE-förstärkning: 14. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 22A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. Spec info: Icm.22A <5ms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 5A, 700V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: MONITOR. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Kollektorström: 5A. Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: "Hi-res". Max hFE-förstärkning: 9. Minsta hFE-förstärkning: 2.5. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 44W. Spec info: MONITOR. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorström: 8A. Hölje: ISOWATT218. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Max hFE-förstärkning: 6. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 15A. Pd (effektförlust, max): 60W. Spec info: MONITOR. Tf (typ): 190 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V