NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 10A, 700V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". obs: MONITOR. Pd (effektförlust, max): 57W. Spec info: Ts 2.1/3.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 4A, 400V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: högspänning, snabbväxling. Max hFE-förstärkning: 32. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Spec info: TO-220. Tf (typ): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: högspänning snabb omkoppling, för att byta strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 6A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Snabb omkoppling för att byta strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 14. Minsta hFE-förstärkning: 6. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 13.5. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 36W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SMPS S-L. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: Höghastighetsväxling. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 800V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.1V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Snabb kommutering för switchade strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.13V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 7A, 450V. Kollektorström: 7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SMPS S-L. Pd (effektförlust, max): 75W. Spec info: Höghastighetsväxling. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 50pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Funktion: SMPS S-L. Max hFE-förstärkning: 34. Minsta hFE-förstärkning: 14. Ic(puls): 10A. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Höghastighetsväxling. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 9V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUL45D2G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 13 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 50pF. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13 MHz. Funktion: Höghastighets, bipolär NPN-effekttransistor med hög förstärkning. Max hFE-förstärkning: 34. Minsta hFE-förstärkning: 22. Ic(puls): 10A. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.28V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 12V

NPN-transistor, 4A, 500V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SMPS S-L. Pd (effektförlust, max): 65W. Spec info: Hög hastighet. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Kollektorström: 1.2A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 5. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 600V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 200V, 70A, TO-3. Collector-Emitter Voltage VCEO: 200V. Kollektorström: 70A. Hölje: TO-3. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 350W

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 83W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F ( SOT186A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 32W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Krafttransistor. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 32W. Spec info: Tf 170ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Pd (effektförlust, max): 23W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Pd (effektförlust, max): 110W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: hög spänning, hög hastighet. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 33W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 33W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V