NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 4A - MJE800G

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 4A - MJE800G. NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE800G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Originalprodukt från tillverkaren Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 25/07/2025, 15:25.