Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 18.42kr | 23.03kr |
5 - 9 | 17.50kr | 21.88kr |
10 - 24 | 16.95kr | 21.19kr |
25 - 30 | 16.58kr | 20.73kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 18.42kr | 23.03kr |
5 - 9 | 17.50kr | 21.88kr |
10 - 24 | 16.95kr | 21.19kr |
25 - 30 | 16.58kr | 20.73kr |
NPN-transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE200G. NPN-transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65MHz. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 45. Pd (effektförlust, max): 15W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE210. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Originalprodukt från tillverkaren ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 01/08/2025, 10:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.