NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Typ av transistor: NPN. Spec info: TO-92M

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Typ av transistor: NPN. Spec info: TO-92M

NPN-transistor, 0.7A, 140V. Kollektorström: 0.7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Kostnad): 2.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Kollektorström: 200mA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: Färg-TV Chroma Output (VID-L). Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 70. Märkning på höljet: C1507 O. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 15W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. CE-diod: ja

NPN-transistor, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Kollektorström: 200mA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: Färg-TV Chroma Output (VID-L). Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: C1507 Y. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 15W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. CE-diod: ja

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 3L (AMMO). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Kostnad): 1.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 300. Märkning på höljet: C1845. Ekvivalenta: 2SC1845. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.07V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) KSA992. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.7A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 170 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. CE-diod: ja

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Kostnad): 50pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: TV Vertikal avböjningsutgång. Max hFE-förstärkning: 125. Minsta hFE-förstärkning: 60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) KSA940. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Kostnad): 50pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: TV Vertikal avböjningsutgång. Max hFE-förstärkning: 125. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) KSA940. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L (9mm magas). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 70. Märkning på höljet: C2310 O. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L (9mm magas). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: C2310 Y. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 2A, 30 v. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Motstånd B: 10. BE-motstånd: 10. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: NPN. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Motstånd B: 10. BE-motstånd: 10. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: 0501-000367. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: 9mm höjd. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Kollektorström: 0.7A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 60pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: hFE 120...240. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Kostnad): 60pF. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 10A. Märkning på höljet: KSC5027 (O). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Kostnad): 60pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 0.1A, TO-126, 900V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 0.1A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 900V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-motstånd: 10. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Dyn Focus. Pd (effektförlust, max): 4W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: HV switch. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 8A, 800V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-motstånd: 10. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". obs: MONITOR. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 7A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399). Kollektorström: 7A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399). BE-motstånd: 10. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Max hFE-förstärkning: 22. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: C5386. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 4.2V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kostnad): 80pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA (F). Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Monitor 68KHz. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kostnad): 90pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA (F). Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 12A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA (F). Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: C5803. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.03A, 35V. Kollektorström: 0.03A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: NPN. Spec info: 12149301860. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.03A, 35V. Kollektorström: 0.03A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: NPN. Spec info: 62137301900

NPN-transistor, 0.05A, 30 v. Kollektorström: 0.05A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. obs: hFE 350...700. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: NPN. Spec info: 0501-000394