NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 5A, 400V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 32W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 50. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 20A. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 10A, 400V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 32W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 15A, TO-3PN, 400V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 175W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUX48A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Maximal förlust Ptot [W]: 175W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 2A, 400V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Funktion: S. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 450V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 2A, TO-220, 450V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUX85G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, TO-126, 450V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 0.5A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Motstånd B: Krafttransistor. BE-diod: NPN. C(tum): 1000V. Kostnad): 0.5A. CE-diod: 40W. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-82. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUX87P. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Maximal förlust Ptot [W]: 42W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 25 MHz. Funktion: S-L. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 15A. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 2A, 800V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 2200V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 10A, 200V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 280V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 400V, 8A, TO-220AB (MJE13007). Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220AB (MJE13007). Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Effekt: 80W

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Kostnad): 130pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: D44H11. Ekvivalenta: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) D45H11. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D44H11G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 10A, TO-220, TO-220, 60V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. RoHS: NINCS. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D44H8. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Typ av transistor: NPN. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D44H8G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 80V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 83W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 90 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) D45VH10. CE-diod: ja

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Kollektorström: 50mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SC-59. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 10k Ohms. BE-motstånd: 10k Ohms. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: DTR.. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 24. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Effekt: 0.2W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Spec info: screentryck/SMD-kod 24. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 4.7k Ohms. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd. Minsta hFE-förstärkning: 200. obs: screentryck/SMD-kod 33. Märkning på höljet: *33, P33, t33, w33. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Produktionsdatum: 2014/49. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 18. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorström: 0.03A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 47k Ohms. BE-motstånd: 47k Ohms. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Märkning på höljet: 26. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Spec info: screentryck/SMD-kod 26. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, SC-72. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SC-72. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.3W. BE-motstånd: 47k+22k Ohms

NPN-transistor, 100A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Kollektorström: 100A. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Power Darlington NPN-transistormodul. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 300. Ic(puls): 150A. obs: Skruvad. Antal terminaler: 4. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 225W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Typ av transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.25V. Vebo: 7V. Spec info: Single Dual Emitter

NPN-transistor, ISOTOP, 84A. Hölje: ISOTOP. Samlarström Ic [A], max.: 84A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konfiguration: Skruvad. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: ESM6045DV. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C