NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Kostnad): 80pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Färg-TV Horisontell avböjning Utgångsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 20A. Pd (effektförlust, max): 35W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Antal per fodral: 1. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, 800V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Kostnad): 80pF. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 65W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Antal per fodral: 1. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, EMT6. Hölje (enligt datablad): EMT6. Märkning på höljet: H21. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: *SMD SO6*. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 6. obs: screentryck/SMD-kod H21

NPN-transistor, EMT6. Hölje (enligt datablad): EMT6. Märkning på höljet: H9C. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: *SMD SO6*. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 6. obs: screentryck/SMD-kod H9C

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: INFI->PANAS. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Kostnad): 120pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Max hFE-förstärkning: 1200. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 20A. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.03V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2000. Funktion: unijunction transistor UJT, hi-beta, lo-sat. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX788. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX550. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX551. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Kollektorström: 300mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 5pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Högspänningstransistor. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Kostnad): 50pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 240 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.23V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Kostnad): 30pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 175 MHz. Funktion: Mycket låg mättnad VBE(sat) 0,9V. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.13V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX753. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Funktion: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX790

NPN-transistor, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: Mycket låg mättnad VBE(sat)0,92V. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 20A. Pd (effektförlust, max): 1.58W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1