NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 600mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P2N2222A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorström: 6.2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 35pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 75. Ic(puls): 15A. obs: komplementär transistor (par) PBSS4041PX. Märkning på höljet: 6F. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf (typ): 220 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 35mV. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 320mV. Vebo: 5V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod 6F. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd. Minsta hFE-förstärkning: 80. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: *08. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 10V. Spec info: screentryck/SMD-kod P08/T08

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NPN-växlingstransistor. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 15V. Antal per fodral: 1. Spec info: 130.41594. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 500 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 15V. Spec info: screentryck/SMD-kod P1J, T1J. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. C(tum): 30pF. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 0.8A. Märkning på höljet: p2X, t2X, W2X. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.75V. Vebo: 6V. Spec info: screentryck/SMD-kod P2X, T2X, W2X, komplementär transistor (par) PMBT4401. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Kostnad): 19pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Allmän förstärkare. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 80...450. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Allmän förstärkare. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 240...600. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Kostnad): 75pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: Allmän förstärkare. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 35. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-363, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-363. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Tillverkarens märkning: D*2. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: par NPN- och PNP-transistorer

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 100pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: DTR.. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/CMS-kod XJ

NPN-transistor, PCB-lödning, ITO-218, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-218. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: S2000N. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1.5 kV. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1500V, 8A, TO-247-T. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1500V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-247-T. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Effekt: 50W. Inbyggd diod: ja

NPN-transistor, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Kostnad): 9pF. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, 160V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Kostnad): 35pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/L, HI-FI Audio. obs: hFE 5000...20000. Pd (effektförlust, max): 150W. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) SAP15P. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, 160V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Kostnad): 35pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/L, HI-FI Audio. obs: hFE 5000...20000. Pd (effektförlust, max): 150W. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) SAP15P. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, 400V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 8pF. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 125W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. C(tum): 11pF. Kostnad): 1.5pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 25. Märkning på höljet: s1D. Pd (effektförlust, max): 0.36W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Funktion: högspänningsförstärkare, SMD-version av MPSA42. Antal per fodral: 1. obs: komplementär transistor (par) SMBTA92. Spec info: screentryck/SMD-kod S1D. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 (Ammo-Pack). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Kostnad): 9pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: S8050 C. Pd (effektförlust, max): 1W. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Kostnad): 28pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Klass B Push-pull-drift. Max hFE-förstärkning: 135. Minsta hFE-förstärkning: 96. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.16V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 1. Spec info: utmärkt hFE-linjäritet. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 270 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.45W. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 32. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 8A. Märkning på höljet: 13005A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 16. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: 13007A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Vebo: 9V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-motstånd: 50. Halvledarmaterial: kisel. Märkning på höljet: ST13009L. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Funktion: hFE 15...28. Antal per fodral: 1. Spec info: ST13009L. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor. Kostnad): 122pF. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS