NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1D. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 5mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3EM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 650 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Kostnad): 9pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 350. Minsta hFE-förstärkning: 200. Märkning på höljet: Y1. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A8A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A8E. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A8K. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.246W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: ett par komplementära transistorer. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP & NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MPSA42. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorström: 500mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-motstånd: 10. Kostnad): 300pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100MHz. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MPSA06. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.5A, 30 v. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 10000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Teknik: Darlington transistor. Tf(min): 125 MHz. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 500mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 125 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 10000. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Darlington transistor. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 45V, 0.2A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 45V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 (ammo pak). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Kostnad): 3pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ekvivalenta: KSP42. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 500mV. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) MPSA92. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Kollektorström: 0.3A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 (ammo pak). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 7pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Max hFE-förstärkning: 50. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ekvivalenta: KSP44, CMPSA44. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 400mV. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 750mV. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 5mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MPSH10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 650 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Kostnad): 3pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Funktion: hFE 25...40. Antal per fodral: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 6pF. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 150000. Minsta hFE-förstärkning: 25000. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 12V. Funktion: High hFE. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 28V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 28V. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: transistor med bias resistor nätverk. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 60. Märkning på höljet: 8B. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 338mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Digitala transistorer (BRT). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Antal terminaler: 3. obs: Panasonic NV-SD450. obs: B1GBCFLL0035. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 8B. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor. C(tum): 9pF. Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. C(tum): 9pF. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: ljudeffektförstärkare. Produktionsdatum: 201452 201512. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 45. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) NJW1302. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, 60V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2.5 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. obs: hFE 20...70. obs: komplementär transistor (par) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 115W. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor. Kostnad): 135pF. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Kollektorström: 8A. Hölje: SOT-199. Hölje (enligt datablad): SOT-199. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Gjord för Grundig. Pd (effektförlust, max): 34W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS