NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspännings snabbomkopplande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 32. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: N83003. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 1000. Spec info: komplementär transistor (par) STN93003. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorström: 5A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 215pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: Lågspänningssnabbväxlande NPN-effekttransistor. Max hFE-förstärkning: 350. Minsta hFE-förstärkning: 30. Ic(puls): 10A. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.32V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 1000. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: HIGH SWITCH. Pd (effektförlust, max): 1.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. Spec info: Hög hastighet. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorström: 7A. Hölje: ISOWATT218. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-motstånd: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Funktion: switching, ljudförstärkare. Spec info: komplementär transistor (par) TIP107. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 2A, 60V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Ic(puls): 4A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. obs: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

NPN-transistor, 4A, 80V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Kostnad): 2pF. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. obs: >1000. Antal per fodral: 1. Spec info: TO-220. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP120. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 5A. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP122. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Gränsfrekvens ft [MHz]: kisel. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) TIP127

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Motstånd B: ja. BE-motstånd: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(tum): TO-220. Kostnad): 200pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: +150°C. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Konditioneringsenhet: 50. Spec info: komplementär transistor (par) TIP127G. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 8A, TO-220, TO220, 100V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP132. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 15000. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) TIP137

NPN-transistor, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Kostnad): 60pF. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Komplementär effekt Darlington transistor. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Ic(puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Motstånd B: Darlington Power Transistor. C(tum): 100V. Antal terminaler: 3. BE-motstånd: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: komplementär transistor (par) TIP147. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Komplementär effekt Darlington transistor. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Ic(puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. BE-motstånd: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: komplementär transistor (par) TIP147T. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 15A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 7V. Polaritet: NPN. Effekt: 90W. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: komplementär transistor (par) TIP2955. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: Låg kollektor-emitter-mättnadsspänning

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 24. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 5A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP32C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 25A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Produktionsdatum: 1450. Max hFE-förstärkning: 50. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 50A. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Polaritet: NPN. Effekt: 125W. Spec info: komplementär transistor (par) TIP36C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 25A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Samlarström Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP35CG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Kostnad): 80pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP42C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 100V, 6A, TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Polaritet: NPN. Effekt: 65W

NPN-transistor, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 30. Ic(puls): 2A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 400V, 1A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 1W

NPN-transistor, 50V, 3A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.75W

NPN-transistor, 18A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 18A. Hölje (enligt datablad): TO-3PMLH. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Hög hastighet.. Max hFE-förstärkning: 15. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 35A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 85W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Tf(max): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. CE-diod: ja

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FI. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Kostnad): 110pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Vbe(sat)1.5V. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 800V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: med polarisationsmotstånd Rbe. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FI. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Kostnad): 110pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Färg-TV Horisontell avböjning Utgångsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 15A. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: med polarisationsmotstånd Rbe. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS