NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 800V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 0.3us

NPN-transistor, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V. Kollektorström: 500mA. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 25pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 800mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-39, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-39. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Kapsling (JEDEC-standard): TO-39. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N1893. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 70 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.8A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 25pF. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-18, 600mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-18. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N2222A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+200°C. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. C(tum): 30pF. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 35. obs: komplementär transistor (par) 2N2907A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-18, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-18. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N2222A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( BULK Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Konditioneringsenhet: 5000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: Transistor för förstärkare. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 35. Märkning på höljet: 2N2222A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 25 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Motstånd B: ja. BE-diod: NPN-transistor. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-18. Kostnad): TO-18. CE-diod: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 500 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 0.5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.36W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-39, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-39. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-39. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N3019. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 60V, 15A, TO-3. Collector-Emitter Voltage VCEO: 60V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3. Polaritet: NPN. Effekt: 115W

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2.5 MHz. Funktion: Ljudförstärkare linjär och switchande. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 115W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "epitaxial-bas planar technology". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ2955. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2.5 MHz. Funktion: Ljudförstärkare linjär och switchande. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 115W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "epitaxial-bas planar technology". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ2955. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2.5 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 115W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ2955. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N3055G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2.5 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 115W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: S/VID. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 30. Antal terminaler: 3. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxiell plan NPN-transistor . Typ av transistor: NPN. Vcbo: 450V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 250V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: S/VID. Produktionsdatum: 2014/06. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 117W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 117W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 40V. Kollektorström: 30A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.2 MHz. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 20A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: NINCS. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N3772. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200kHz. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.2 MHz. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 140V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.2 MHz. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 4 v. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 16A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N3773G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 140V. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C