NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE803. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1000V, 5A, TO-220-F. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1000V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220-F. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Effekt: 35W

NPN-transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Kostnad): 80pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: (F). Pd (effektförlust, max): 45W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. BE-motstånd: 50. Kostnad): 156pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 18. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.83V. Vebo: 10V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 15A, 650V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Kostnad): 2.3pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: NF-L, TO-264. Pd (effektförlust, max): 170W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: TO-3PBL. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO–3PBL. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJL21193. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 250V, 16A, TO-264. Collector-Emitter Voltage VCEO: 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-264. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Effekt: 200W

NPN-transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJL21195. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 260V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 45. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJL1302A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Funktion: Effektljud, låg harmonisk distorsion. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJL4302A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon Power Bipolar Transistor. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-247, TO-247, 400V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Utmärkt förstärkningslinjäritet. Max hFE-förstärkning: 80. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJW21195. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Kostnad): 2.8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Produktionsdatum: 201444 201513. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Teknik: Power bipolär transistor. Spec info: komplementär transistor (par) MJW1302A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Kostnad): 5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: UNI. Minsta hFE-förstärkning: 100. Märkning på höljet: 1 P. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Spec info: SMD 1P. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 600mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1P. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 200mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1S. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 1.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1.2A. Märkning på höljet: 2F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 200mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1AM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning (SMD). C(tum): SOT-23. Kostnad): 1.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: UNI. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Märkning på höljet: 1AM. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Spec info: SMD 1AM. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Kostnad): 80pF. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 0.9A. Märkning på höljet: 2x. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 30 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 6V. Spec info: screentryck/CMS-kod 2X. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2L. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Märkning på höljet: 2 L. Ekvivalenta: MMBT5401LT1G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod (2Lx datumkod)

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 60. Märkning på höljet: G1. Ekvivalenta: MMBT5551LT1G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: screentryck/SMD-kod G1 (3S Fairchild). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 600mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G1. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1GM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1GM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. obs: 1D. Märkning på höljet: 1D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 240mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) MMBTA92. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS