NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 14A. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kostnad): 1.6pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 64kHz. Funktion: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Produktionsdatum: 2014/17. Max hFE-förstärkning: 8.5. Minsta hFE-förstärkning: 6. Ic(puls): 21A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 62W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Kostnad): 2.5pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 175W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.6us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Kollektorström: 50A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 4pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 60A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 250V. Kollektorström: 60A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Kostnad): 7pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 75...1000. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorström: 30A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 4pF. Kostnad): TO-204AA. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): +200°C. obs: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). obs: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11015. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorström: 50A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Max hFE-förstärkning: 18000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 100A. Pd (effektförlust, max): 300W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11033

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 50A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ11032G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 20A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15003G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 140V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15004

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-motstånd: 70. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Pd (effektförlust, max): 180W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Spec info: Motorola. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-motstånd: 70. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 10. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15016. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15015G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 6 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Pd (effektförlust, max): 250W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15023. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 350V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Högeffektsljud. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15023. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Kostnad): 1.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Högeffektsljud. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15025. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 16A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15024G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 16A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ21194G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Kostnad): 2pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ21195. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorström: 30A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. C(tum): 30pF. Kostnad): 8.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 30A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 30A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ802G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, 8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J44H11. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 85 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, 8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J44H11. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 85 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Kollektorström: 8A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): DPAK CASE 369C. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Kostnad): 45pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 85 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: 44H11G. Ekvivalenta: MJD44H11G, MJD44H11J. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Tf (typ): 140 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJD45H11T4G. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Kollektorström: 8A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): DPAK CASE 369C. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Kostnad): 45pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 85 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: 45H11G. Ekvivalenta: MJD45H11G, MJD45H11J. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Tf (typ): 140 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJD45H11T4G. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 3pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 80pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 14 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Bipolär krafttransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 9V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS