NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 150mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Pinout: 1. C(tum): 1.5pF. Kostnad): 11pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) KSA733. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 150mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Pinout: 1. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) KSA733. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 35pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 150. Märkning på höljet: D2012-G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon NPN Triple Diffused Type. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) KSB1366. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 5A. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kostnad): 20pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V. Spec info: Rbe 50 Ohms

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Högspänningsfärgskärm horisontell avböjning . Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us

NPN-transistor, 5A, 100V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: NPN. Spec info: 12149-401-070

NPN-transistor, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: SD882-Y

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 180pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: "Högspänningsomkopplarläge". Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 24A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 9V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 4A, 60V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. obs: b>750. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: NPN. Spec info: 0503-000001

NPN-transistor, 600mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 600mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SW. Märkning på höljet: R1002. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 22k Ohms. BE-motstånd: 22k Ohms. Kostnad): 100pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: SW. Märkning på höljet: R1003. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SW. Märkning på höljet: R1007. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 40V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 40V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 40V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. obs: 0.3W. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, TO-92, TO-92. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kostnad): 0.8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 20mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 800 MHz. Funktion: FM-V/M/O. Max hFE-förstärkning: 198. Minsta hFE-förstärkning: 40. Märkning på höljet: 15.8k Ohms. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 3A, 80V. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: hFE 20...90. obs: T32. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Kostnad): 0.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 11 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 210V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kostnad): 1pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspänningstransistor för CRT i standardupplösning. Max hFE-förstärkning: 8.5. Minsta hFE-förstärkning: 5.5. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 57W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kostnad): 0.55pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspänningstransistor för CRT i standardupplösning. Max hFE-förstärkning: 7.5. Minsta hFE-förstärkning: 5.5. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 57W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Kollektorström: 12A. Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): TO-218-FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Kostnad): 4pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: FAST-SWITCH. Max hFE-förstärkning: 7. Minsta hFE-förstärkning: 4.5. Ic(puls): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 58W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledarmaterial: kisel. Funktion: FAST-SWITCH. Max hFE-förstärkning: 18. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 16A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 58W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-78. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-78. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Antal per fodral: 2. Effekt: 0.46W