NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Högspänningsfärgskärm horisontell avböjning . Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: J6810. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. obs: screentryckt. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: J6810A. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. Funktion: Höghastighetsväxling. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: High V Color Display Hor Defl (med spjälldiod) . Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: J6810D. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. obs: screentryckt J6810. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 12A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 12A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Högspänningsfärgskärm horisontell avböjning . Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: J6812. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. obs: screentryckt J6812. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Kollektorström: 17A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Märkning på höljet: J4315O. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) FJL4215-O

NPN-transistor, 20A, TO-247, TO-247, 750V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: 19 tums skärm. Spec info: VEBO 6V

NPN-transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspänningsfärgskärm horisontell avböjning . Max hFE-förstärkning: 8.5. Minsta hFE-förstärkning: 5.5. Ic(puls): 30A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 25

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Minsta hFE-förstärkning: 30. Ic(puls): 300mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 110pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: J13007. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 110pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 28. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: J13007-1. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 110pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 39. Minsta hFE-förstärkning: 26. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: J13007-2. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 180pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 17. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: J13009. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 180pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 28. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: J13009-2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 619. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 165 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Funktion: hFE 5000. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) FP1016

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 0.3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 0.3A. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZT458. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 7A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 7A. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZT849. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor. Antal per fodral: 1. CE-diod: ja

NPN-transistor, 24A, ISOWATT218FX, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 24A. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA hi-res (F). Ic(puls): 36A. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.95V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 10V. Antal per fodral: 1. Spec info: 0.17...0.31us

NPN-transistor. Antal per fodral: 1. Funktion: HA, hi-def. obs: 0.2. Spec info: MONITOR

NPN-transistor. Antal per fodral: 1. Funktion: HA, hi-def. obs: 0.2. Spec info: MONITOR. CE-diod: ja

NPN-transistor, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 47. Minsta hFE-förstärkning: 29. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Vebo: 10V. Spec info: "Epitaxiell plan transistor"

NPN-transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126ML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 160...320. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) HSB1109

NPN-transistor, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Kollektorström: 500mA. Hölje: TO-5. Hölje (enligt datablad): TO-5. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 35...125. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: Lo-Pwr BJT

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Typ av transistor: NPN. Spec info: TO-92M