NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 7A, 450V. Kollektorström: 7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SMPS S-L. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Antal per fodral: 1. Spec info: Höghastighetsväxling

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 50pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Funktion: SMPS S-L. Max hFE-förstärkning: 34. Minsta hFE-förstärkning: 14. Ic(puls): 10A. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 9V. Antal per fodral: 1. Spec info: Höghastighetsväxling. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUL45D2G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 13 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kostnad): 50pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13 MHz. Funktion: Höghastighets, bipolär NPN-effekttransistor med hög förstärkning. Max hFE-förstärkning: 34. Minsta hFE-förstärkning: 22. Ic(puls): 10A. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.28V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 12V. Antal per fodral: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 4A, 500V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SMPS S-L. Pd (effektförlust, max): 65W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Antal per fodral: 1. Spec info: Hög hastighet. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Kollektorström: 1.2A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 5. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 600V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 200V, 70A, TO-3. Collector-Emitter Voltage VCEO: 200V. Kollektorström: 70A. Hölje: TO-3. Polaritet: NPN. Effekt: 350W

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 83W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F ( SOT186A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 10A. Pd (effektförlust, max): 32W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Krafttransistor. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 32W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Antal per fodral: 1. Spec info: Tf 170ns

NPN-transistor, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Pd (effektförlust, max): 23W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Pd (effektförlust, max): 110W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 33W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: hög spänning, hög hastighet

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 33W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 4A, 350V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 9 MHz. Funktion: S-L, SN. Pd (effektförlust, max): 55W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 600V. Antal per fodral: 1. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 50A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUV20. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 125V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 8 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 CASE 221A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 190V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Designad för höghastighetsapplikationer. Ic(puls): 30A. Pd (effektförlust, max): 85W. RoHS: ja. Tf(max): 150 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Snabb växlingshastighet. Ic(puls): 20A. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, 150V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 85W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, TO-247, 15A, TO-247, 450V, 1000V, 15A. Hölje: TO-247. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1000V. Kollektorström: 15A. RoHS: ja. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUV48A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 8. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 7V. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)

NPN-transistor, 5A, 400V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V. Antal per fodral: 1. CE-diod: ja

NPN-transistor, 5A, TO-3PN, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Antal per fodral: 1. Funktion: högspänning, snabbväxling. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS