NPN-transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V - BUL45GD2G
| Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 24.99kr | 31.24kr |
| 5 - 9 | 23.74kr | 29.68kr |
| 10 - 24 | 22.99kr | 28.74kr |
| 25 - 49 | 22.49kr | 28.11kr |
| 50 - 51 | 20.68kr | 25.85kr |
| Kvantitet | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 24.99kr | 31.24kr |
| 5 - 9 | 23.74kr | 29.68kr |
| 10 - 24 | 22.99kr | 28.74kr |
| 25 - 49 | 22.49kr | 28.11kr |
| 50 - 51 | 20.68kr | 25.85kr |
NPN-transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V - BUL45GD2G. NPN-transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 50pF. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13 MHz. Funktion: Höghastighets, bipolär NPN-effekttransistor med hög förstärkning. Max hFE-förstärkning: 34. Minsta hFE-förstärkning: 22. Ic(puls): 10A. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.28V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 12V. Originalprodukt från tillverkaren ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 01/08/2025, 10:25.
Motsvarande produkter :
Vi rekommenderar även :
Vi rekommenderar även :
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.