NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 8A, 700V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 34W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning, ISOWATT-218, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ISOWATT-218. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BU508DFI. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 700V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 7 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, 480V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 480V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-SN. Pd (effektförlust, max): 62W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 330V/200V. Maximal förlust Ptot [W]: 90W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 330V/ 200V. Maximal förlust Ptot [W]: 90W

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FH. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 42W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Antal per fodral: 1. Spec info: TO-220FH

NPN-transistor, 8A, ISOWATT218FX, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-motstånd: 42 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 230. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 62W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms)

NPN-transistor, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-motstånd: 260 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 10A. Pd (effektförlust, max): 62W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Funktion: hFE 60...230, isolerat plasthus. Spec info: hösttid 0,8us

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BU941ZP. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 350V. Maximal förlust Ptot [W]: 155W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

NPN-transistor, 15A, 400V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 65W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V. obs: >300. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Kollektorström: 10A. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hösttid 625ns. Max hFE-förstärkning: 3400. Minsta hFE-förstärkning: 500. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. Spec info: 360-450V Clamping

NPN-transistor, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Antal per fodral: 1. Spec info: HV-POWER

NPN-transistor, 30A, TO-247, TO-247, 450V. Kollektorström: 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Ic(puls): 60A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Högspänning Multi Epitaxial Planar Technology". Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Högspännings snabbomkopplande krafttransistor

NPN-transistor, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Kollektorström: 14A. Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): TO-218-ISO. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 14. Minsta hFE-förstärkning: 7. Ic(puls): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS

NPN-transistor, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V. Kollektorström: 16A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218 ( SOT93 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Högspänningstransistor med snabb koppling. Max hFE-förstärkning: 14. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 22A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Icm.22A <5ms

NPN-transistor, 5A, 700V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Kollektorström: 5A. Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: "Hi-res". Max hFE-förstärkning: 9. Minsta hFE-förstärkning: 2.5. Ic(puls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 44W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorström: 8A. Hölje: ISOWATT218. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Max hFE-förstärkning: 6. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 15A. Pd (effektförlust, max): 60W. Tf (typ): 190 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Antal per fodral: 1. Spec info: MONITOR. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, 700V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Pd (effektförlust, max): 57W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. obs: MONITOR. Antal per fodral: 1. Spec info: Ts 2.1/3.1us

NPN-transistor, 4A, 400V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 32. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Tf (typ): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Antal per fodral: 1. Funktion: högspänning, snabbväxling. Spec info: TO-220. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 6A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Funktion: högspänning snabb omkoppling, för att byta strömförsörjning. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 14. Minsta hFE-förstärkning: 6. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb omkoppling för att byta strömförsörjning

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 13.5. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 36W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SMPS S-L. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 800V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.1V. Vebo: 9V. Antal per fodral: 1. Spec info: Höghastighetsväxling

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Snabb kommutering för switchade strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.13V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms