NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SC-70, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SC-70. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 65V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Märkning på höljet: 8AC. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 250mV. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 600mV. Vebo: 6V. Spec info: SMD 8AC. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Kostnad): 1.5pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 110. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 1E. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.09V. Spec info: screentryck/SMD-kod 1E. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.33W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 1F

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1F. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1F. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-363 ( SC-88 ). Hölje (enligt datablad): SOT-363. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: DUAL NPN & PNP. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 13. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP & NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 6. Spec info: screentryck/SMD-kod 13. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SC-88, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SC-88. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-363. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 13. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.22W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: par NPN- och PNP-transistorer

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Kostnad): 4.5pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 250. Pd (effektförlust, max): 0.225W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 1G. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 1K

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.31W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1Ls. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1L. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SC-70, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SC-70. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-323. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 2G

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Kostnad): 22pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 170 MHz. Max hFE-förstärkning: 375. Minsta hFE-förstärkning: 85. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: CAC. Pd (effektförlust, max): 1.35W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod CAC. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Kostnad): 22pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 170 MHz. Max hFE-förstärkning: 375. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: CDC. Pd (effektförlust, max): 1.35W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod CDC. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), TSSOP6, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: TSSOP6. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Tillverkarens märkning: M1. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: par NPN- och PNP-transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 1.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: Ljud, telefoni och biltillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: BCP54/16. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.35W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCP51-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS