NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 25pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Ljud, telefoni och biltillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: BCP 5516. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCP52-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BH-10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: Ljud, telefoni och biltillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: BCP56/16. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.35W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCP53-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BH-10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BH. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 60 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: XGs. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 500mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: 10k Ohms. BE-motstånd: 10k Ohms. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd. Minsta hFE-förstärkning: 70. Märkning på höljet: XCs. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 1V. Spec info: screentryck/CMS-kod XCs. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Darlington NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: EF. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. obs: >420. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCW60RC. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: U1. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 125V. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NPN-transistor, AF-applikationer och växling. Max hFE-förstärkning: 63. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: EKs. Pd (effektförlust, max): 0.33W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...150°C. Vcbo: 125V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCX42. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: bM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Konditioneringsenhet: 1000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: ljud- och videoförstärkare. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 1.5A. Märkning på höljet: BH. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod BH

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: ljud- och videoförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 63. Ic(puls): 1.5A. obs: screentryck/SMD-kod BK. Märkning på höljet: BK. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCX53-10

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BL. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. obs: screentryck/SMD-kod BL. Märkning på höljet: BL. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCX53-16

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: AK*. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW)

NPN-transistor, 100mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 200A. Pd (effektförlust, max): 0.34W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.75V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-18, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Kapsling (JEDEC-standard): TO-206AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCY59-9. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 3A, 60V. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Pd (effektförlust, max): 18.5W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 1.5A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126 plastic. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Ljudförstärkare och applikationer. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Kollektorström: 1.5A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD139. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Ic(puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD140