NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 1.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD139-10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 80V, 1A, TO-126 FULLPACK. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-126 FULLPACK. Polaritet: NPN. Effekt: 10W

NPN-transistor, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 1.5A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-126. Kostnad): SOT-32. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD140-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126 plastic. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD140-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 80V, 1.5A, TO-126. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126. Polaritet: NPN. Effekt: 12.5W

NPN-transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126 plastic. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD140-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO126, 375V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 0.5A. Hölje (enligt datablad): TO126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 375V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, 60V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 3mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 3mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD179G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.03W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1.5A, 100V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 125 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Kollektorström: 2A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD237. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Maximal förlust Ptot [W]: 25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Spec info: komplementär transistor (par) BD238

NPN-transistor, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 2A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Spec info: komplementär transistor (par) BD238. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD237G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 2A, TO-220, 100V, TO-220, 115V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Polaritet: NPN. Effekt: 30W. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 4A. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD240C

NPN-transistor, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V. Hölje: TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 3A. Kollektorström: 5A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Polaritet: NPN. Effekt: 40W. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD242C

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD242C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 6A, 100V, 6A, TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 6A. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD243C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Polaritet: NPN. Effekt: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD244C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 6A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 6A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD243C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Konditioneringsenhet: 50. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD244C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Polaritet: NPN. Effekt: 65W. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V

NPN-transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) BD246C

NPN-transistor, 10A, 115V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) BD246C

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 40A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD250C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) BD250C