NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC560C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, TO-92, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 0.1A. Hölje (enligt datablad): TO-92 3L (Ammo Pack). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 9pF. Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Ic(puls): +150°C. Ekvivalenta: BC550CG, BC550CBU. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC560C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. C(tum): 50pF. Kostnad): 7pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. C(tum): 50pF. Kostnad): 7pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC639. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC640

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Pd (effektförlust, max): 800mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC640-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. C(tum): 50pF. Kostnad): 7pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Pd (effektförlust, max): 800mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC640-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC639-16. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.83W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC639-16. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.83W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 100V, 1A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.8W

NPN-transistor, 100V, 1A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.8W

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 170 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: 6As. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6As

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6A

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Kostnad): 3pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: 6B. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod 6B. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.31W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Kostnad): 10pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 170 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 250. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: 6C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod 6C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.31W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Kostnad): 3pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 250. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: 6C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.31W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 65V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): TO-236AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. C(tum): 11pF. Kostnad): 2pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Märkning på höljet: 1B. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 1B. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor