NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Kostnad): 4.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 80pF. Kostnad): 25pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: för medelhög effekt och switchningsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) BC161-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 240. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 240. obs: ( E,C,B ). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. CE-diod: ja

NPN-transistor, 0.2A, 45V. Kollektorström: 0.2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: BC237/25

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC237BG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 120V, 0.5A, TO-39. Collector-Emitter Voltage VCEO: 120V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-39. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.85W

NPN-transistor, 60V, 0.5A, TO-39. Collector-Emitter Voltage VCEO: 60V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-39. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.85W

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 210 MHz. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-25. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 210 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.63W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA, TO-92, 45V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-40. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-40

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-40. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 210 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.63W

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-25. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammo-Pack. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 250. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-40. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.63W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Kostnad): 40pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 63. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 375. Minsta hFE-förstärkning: 85. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.83W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC369