NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 4A, 100V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB682

NPN-transistor, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Funktion: ljudeffektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 55. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB688. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 6A, 600V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 0.7A, TO-92, 25V. Kollektorström: 0.7A. Hölje: TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 25W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 6A, 120V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. obs: B=1000. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, 120V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF/SL. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1A, 60V. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB764. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 6A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SD871. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1500V/600V. Maximal förlust Ptot [W]: 50W

NPN-transistor, 3A, 30 v. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat. Pd (effektförlust, max): 0.75W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 3A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kostnad): 45pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 7A. Märkning på höljet: D882. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB772. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, M31/J, 7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M31/J. Samlarström Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 330V/200V. Maximal förlust Ptot [W]: 70W

NPN-transistor, 2A, TO-126, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 2A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: hFE 4000. Pd (effektförlust, max): 5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: TO-126

NPN-transistor, 0.02A, 120V. Kollektorström: 0.02A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: NPN. Funktion: NF

NPN-transistor, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Kostnad): 50pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: AF-utgångsförstärkare. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 340. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.35V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, D8/C, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8/C. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220C. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Fast-switching. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: D13009K. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: D209L. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(min): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126F, 490V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 490V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 20. Minsta hFE-förstärkning: 16. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: 4202BD. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 800V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.18V. Vebo: 13V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-323, 40mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-323. Samlarström Ic [A], max.: 40mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 5.5V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2.4GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Motstånd B: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-18. Kostnad): 4.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS