NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 2A, 100V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: isolerad pakettransistor. obs: >1000. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. CE-diod: ja

NPN-transistor, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Kollektorström: 3A. Hölje: SMD. Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 25pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Högströmsväxling. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 35. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 15W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1202. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorström: 8A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 35. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiala plana kiseltransistorer". Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 6V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1204

NPN-transistor, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220ML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Max hFE-förstärkning: 5000. Minsta hFE-förstärkning: 2000. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.9V. Spec info: "Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor"

NPN-transistor, 5A, 700V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 5A. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Färg-TV Horisontell avböjning Utgångsförstärkare.. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågfrekvent effektförstärkare. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1274

NPN-transistor, 4A, 80V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: isolerad pakettransistor. Minsta hFE-förstärkning: 3000. obs: =3000. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1342

NPN-transistor, PCB-lödning, M31/C, 6A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M31/C. Samlarström Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1500V/650V. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): 1500V. Drifttemperaturområde max (°C): 650V

NPN-transistor, 10A, 650V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Funktion: S-L TV/HA(F)

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat DC/DC. Max hFE-förstärkning: 350. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 2.5A, 1500V. Kollektorström: 2.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): 2-10R1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 35pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Märkning på höljet: D2012. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon NPN Triple Diffused Type. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1366. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220FP, 3A, TO-220, TO-220, 80V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220FP. Samlarström Ic [A], max.: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V/60V. Maximal förlust Ptot [W]: 30W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3A. Driftstemperaturområde min (°C): 30W. Drifttemperaturområde max (°C): Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Kollektorström: 3.5A. Hölje: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 3A, 100V. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: Io-sat. obs: >500. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, 600V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, 110V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal för 120W Hi-Fi-utgång. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 3500. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Trippel diffusion planar typ darlington . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.3A, 30 v. Kollektorström: 0.3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 3A. Hölje (enligt datablad): TO-3FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: IBp=2A

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50MHz. Funktion: Effektförstärkning med hög framåtström. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Ic(puls): 6A. Temperatur: +150°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: 2.37k Ohms. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P ( MT-100 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1560. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 210 MHz. Funktion: S Io-sat. obs: screentryck/SMD-kod DT. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1561

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 6A. Märkning på höljet: D2394. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 7V