NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Kostnad): 55pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 2000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 12A, TO-3PF, 150V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 12A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 5000. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1588

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1588

NPN-transistor, 6A, 110V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. obs: >5000. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1625

NPN-transistor, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 6A. Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-motstånd: 40 Ohms. Kostnad): 95pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 6A. Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-motstånd: 40 Ohms. Kostnad): 95pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 8A, 700V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA Hi-r. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. obs: Vce(sat)=5V

NPN-transistor, 80V, 3A, MT-3-A1. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Kollektorström: 3A. Hölje: MT-3-A1. Polaritet: NPN. Effekt: 1.5W

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: TO-220. Max hFE-förstärkning: 12000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Märkning på höljet: D2589. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 110V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1659

NPN-transistor, 2A, TO-220, 50V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-220AB. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Funktion: 2A. Ic(puls): 5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 3. Ic(puls): 7A. Pd (effektförlust, max): 35W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 5A, 700V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 22W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 1.5A, 60V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-1, 300mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-1. Samlarström Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V/80V. Maximal förlust Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, 0.7A, 25V. Kollektorström: 0.7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Funktion: allmänt syfte. obs: hFE 120...240. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 5A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Maximal förlust Ptot [W]: 30W

NPN-transistor, PCB-lödning, D18/C, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D18/C. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 12A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SD551. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W

NPN-transistor, 1A, TO-126, 120V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 1A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: Lågfrekvent effektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB631K

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-236, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-236. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 700mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/15V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: Lågfrekvent effektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 2A. obs: 9mm. Märkning på höljet: D667. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon NPN Epitaxial. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB647