NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA (isolerad). Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 7A, 600V. Kollektorström: 7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, 600V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA (isolerad). Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V

NPN-transistor, 3.5A, 600V. Kollektorström: 3.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 6A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 2A, 700V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Max hFE-förstärkning: 15. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 17A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.1A, 160V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/SL. obs: hFE 100...200. Typ av transistor: NPN. Spec info: 2SD1609-C

NPN-transistor, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 140. Ic(puls): 4A. obs: komplementär transistor (par) 2SB1123S. Märkning på höljet: DF. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiell plan kiseltransistor". Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 6V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod DF. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 2A, 60V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. obs: hFE 200...400. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Typ av transistor: NPN. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod DF, komplementär transistor (par) 2SB1123T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorström: 3A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 140. Ic(puls): 6A. Märkning på höljet: DG. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiala plana kiseltransistorer". Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.35V. Vebo: 6V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod DG

NPN-transistor, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SANYO PCP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: hög DC-ström, relädrivrutiner, lampdrivrutiner. Max hFE-förstärkning: 4000. Minsta hFE-förstärkning: 3000. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: DI. Pd (effektförlust, max): 1.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.9V. Vebo: 10V. Spec info: screentryck/SMD-kod DI, komplementär transistor (par) 2SB1126. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 2A, 30 v. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. obs: hFE 3000...4000. Pd (effektförlust, max): 1.5W. Typ av transistor: NPN. Funktion: Hög likström, relädrivrutiner, spänningsreglering. Spec info: screentryck/SMD-kod DJ

NPN-transistor, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Kollektorström: 5A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SANYO--PCP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod DK, hFE 120...200

NPN-transistor, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Kollektorström: 5A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SANYO--PCP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 180. Id(imp): 8A. Märkning på höljet: DK. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod DK

NPN-transistor, 3.5A, 800V. Kollektorström: 3.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 5A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 6A, 800V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Konditioneringsenhet: 1000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: bipolär transistor. Max hFE-förstärkning: 270. Minsta hFE-förstärkning: 120. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: DAQ. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Epitaxiell plan typ . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod DAQ

NPN-transistor, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220ML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 70. Id(imp): 12A. obs: komplementär transistor (par) 2SB1135. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220ML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 70. Id(imp): 15A. obs: komplementär transistor (par) 2SB1136. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 5A, 700V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 2A, 40V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-E-L. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, 160V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: NF/E (F). Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1186A