NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, A21/B, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: A21/B. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/12V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/12V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-39, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-39. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.68W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 232. Minsta hFE-förstärkning: 50. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 5V. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SC829. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V/25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V/25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/35V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning, A21/B, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: A21/B. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V/10V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.12W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1000V/500V. Maximal förlust Ptot [W]: 22W

NPN-transistor, 0.2A, 60V. Kollektorström: 0.2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 220 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.05A, 50V. Kollektorström: 0.05A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.7A, 20V. Kollektorström: 0.7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: lo-sat . Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Kostnad): 120pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Ljudeffektförstärkare, DC-DC-omvandlare. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB817. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 70. Ic(puls): 15A. Märkning på höljet: D1062. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 6V. Funktion: höghastighetsväxelriktare, omvandlare, låg-sat. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB826