NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 10A, 600V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: VCE(sat) 3V max. obs: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)

NPN-transistor, 14A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 14A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 64kHz. Funktion: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Ic(puls): 28A. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: VCE(sat) max. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 14A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 14A. Hölje (enligt datablad): TO-3FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kostnad): 190pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: HA, Hi-res. Ic(puls): 28A. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: fH--64KHz. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-3PFM, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-3PFM. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 64kHz. Funktion: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 16A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused

NPN-transistor, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Hölje (enligt datablad): TO-3PFM. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Horisontell avböjningsutgång. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: C5449. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 70mA, SSFP 1.4x0.8x0.6mm, 10V. Kollektorström: 70mA. Hölje (enligt datablad): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 10V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 90. Märkning på höljet: LN. Pd (effektförlust, max): 0.1W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 20V. Spec info: screentryck/SMD-kod LN

NPN-transistor, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1500V. Kollektorström: 17A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 12:1. Minsta hFE-förstärkning: 6. Ic(puls): 30A. Märkning på höljet: C5583. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Funktion: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: "Trippel diffusions mesa typ"

NPN-transistor, 15A, 800V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hi-res, monitor 19. obs: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Spec info: Triple diffusion mesa tipe

NPN-transistor, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 12A. Hölje (enligt datablad): TO-3PMLH. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Hög hastighet. Max hFE-förstärkning: 11. Minsta hFE-förstärkning: 3. Ic(puls): 36A. Märkning på höljet: C5696. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 85W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V. BE-motstånd: ja. CE-diod: ja

NPN-transistor, 8A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-3PMLH. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 7. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: C5698. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V. Funktion: hög hastighet, CTV-HA

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-251, 7.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-251. Samlarström Ic [A], max.: 7.5A. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 400 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 15W

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorström: 5A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 400 MHz. Funktion: DC-DC-omvandlare, TFT-strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 7.5A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.135V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA2039

NPN-transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Konditioneringsenhet: 100dB. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-omvandlare, TFT-strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 11A. Märkning på höljet: C5707. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.11V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA2040. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorström: 8A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-omvandlare, TFT-strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 11A. Märkning på höljet: C5707T. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiell plan kiseltransistor". Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.11V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA2040FA

NPN-transistor, 21A, 700V. Kollektorström: 21A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. obs: Vce(sat) 3Vmax

NPN-transistor, 20A, 800V. Kollektorström: 20A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. obs: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Spec info: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor"

NPN-transistor, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 12A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: C5803. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V

NPN-transistor, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Kollektorström: 22A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): 2-21F2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: För högupplöst horisontell avböjning, HD-TV. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 44A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Kollektorström: 23A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): 2-21F2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: För högupplöst horisontell avböjning, HD-TV. Max hFE-förstärkning: 55. Minsta hFE-förstärkning: 4.5. Ic(puls): 46A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 210W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA (F). Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 20A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 20A. Hölje (enligt datablad): TO-3PMLH. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Max hFE-förstärkning: 15. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 40A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220F-3SG, 50V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220F-3SG. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 85pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 195 MHz. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: C6082. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 23W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Funktion: Reläförare, lampförare, motorförare. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA2210. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 0.03A, 15V. Kollektorström: 0.03A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 600 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.12W. Typ av transistor: NPN