NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 12A, 600V. Kollektorström: 12A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Vce(sat) 3V. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. obs: Monitor HA (F). Spec info: VEBO 5V. CE-diod: ja

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorström: 5A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 270. Minsta hFE-förstärkning: 120. Ic(puls): 10A. Märkning på höljet: C5103. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 0.3 ns. Tf(min): 0.1 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 5V. Funktion: Motordrivare, LED-drivrutin. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1952

NPN-transistor, 10A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1.7 MHz. Funktion: MONITOR HA,Hi-res. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: C5129. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: falltid 0.15..03us (64kHz). CE-diod: ja

NPN-transistor, 10A, 600V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. obs: MONITOR. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Funktion: HA, Hi-res. CE-diod: ja

NPN-transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F2A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1.7 MHz. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 40A. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Spec info: Monitor -HA

NPN-transistor, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 5V. Funktion: Horizontal Deflection Output, high speed Switch

NPN-transistor, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: snabb drift, för horisontell avböjning (TV). Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: C5149. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Spec info: "Trippeldiffuserad MESA-typ"

NPN-transistor, 10A, 700V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: VCE(sat) 3V max. obs: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Spec info: TO-3P (Plastic). CE-diod: ja

NPN-transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 50. Märkning på höljet: C5171. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial typ". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.16V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1930. Funktion: TV, SL. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, 120V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1940

NPN-transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Kostnad): 170pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Märkning på höljet: C5198 O. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1941. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Kostnad): 200pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Märkning på höljet: C5200 (Q). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1943. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 230V, 15A, TO-264. Collector-Emitter Voltage VCEO: 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Effekt: 150W

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Kostnad): 200pF. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 5. Märkning på höljet: C5242. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1962. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1700V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 12:1. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippel diffusions mesa typ". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.12us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 12A, 800V. Kollektorström: 12A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Display-HA. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR. CE-diod: ja

NPN-transistor, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-motstånd: 43 Ohms. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 0.1 ns. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V

NPN-transistor, 10A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: För högupplöst horisontell avböjning. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Spec info: Display-HA MONITOR. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 20A, 800V. Kollektorström: 20A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 120W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 8.729.033.99. CE-diod: ja

NPN-transistor, 15A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 15A. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 35A. Märkning på höljet: C5302. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: snabb hastighet (tf=100ns typ)

NPN-transistor, PCB-lödning, D35/B, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D35/B. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Pd (effektförlust, max): 180W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1987. CE-diod: ja

NPN-transistor, 150mA, TO-92, TO-92S, 50V. Kollektorström: 150mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92S. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Ic(puls): 400mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA608. CE-diod: ja

NPN-transistor, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 4.3. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: C5386. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res