NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V - 2SD2390-SKN
| Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 62.68kr | 78.35kr |
| 2 - 2 | 59.54kr | 74.43kr |
| 3 - 4 | 56.41kr | 70.51kr |
| 5 - 9 | 53.28kr | 66.60kr |
| 10 - 19 | 52.02kr | 65.03kr |
| 20 - 29 | 50.77kr | 63.46kr |
| 30 - 53 | 48.89kr | 61.11kr |
| Kvantitet | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 62.68kr | 78.35kr |
| 2 - 2 | 59.54kr | 74.43kr |
| 3 - 4 | 56.41kr | 70.51kr |
| 5 - 9 | 53.28kr | 66.60kr |
| 10 - 19 | 52.02kr | 65.03kr |
| 20 - 29 | 50.77kr | 63.46kr |
| 30 - 53 | 48.89kr | 61.11kr |
NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V - 2SD2390-SKN. NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P ( MT-100 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1560. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 10:25.
Motsvarande produkter :
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.