NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 160000. Minsta hFE-förstärkning: 8000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Spec info: VEBO 12V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: allmänt syfte. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200MHz. Minsta hFE-förstärkning: 30000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Spec info: komplementär transistor (par) BC516. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 1.2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 1.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC517. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC517. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 1.2A, TO-92, 30V, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Kollektorström: 1.2A. Hölje: TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 30V. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Effekt: 0.625W. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200MHz. Minsta hFE-förstärkning: 30000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Spec info: komplementär transistor (par) BC516

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 90. Ic(puls): 0.2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) BC556A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 0.1A. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 0.2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) BC556B. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, TO-92, 100mA, 80V, 0.2A. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Kollektorström: 0.2A. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC546B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 65V, 0.1A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 65V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.5W

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 90. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial Planar-Transistor . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC557A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC547B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial Planar-Transistor . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) BC557B

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC547B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Kostnad): TO-226. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 270. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial Planar-Transistor . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC557C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC547C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC547C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC547C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Spec info: komplementär transistor (par) BC558B

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC548B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC548C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC549C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC560B. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS