Transistorer

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: Io-sat. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3299

Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F (2-8A1H). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3421Y. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 0.05A. Pd (effektförlust, max): 5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): 2-8H1A. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 150V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3423. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 1.7pF. Kostnad): 2.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Vebo: 5V. Funktion: video. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 3.1pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Ljudspänningsförstärkare, CRT-definition, videoutgång. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Märkning på höljet: A1381-E. Pd (effektförlust, max): 7W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3503. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Kollektorström: 15A. Märkning på höljet: A1386A. Pd (effektförlust, max): 130W. Vikt: 6g. Hölje: TO-3P ( TO3P ). Hölje (enligt datablad): MT-100(TO3P). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3519A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 170 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Samlarström Ic [A], max.: 300mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Kollektorström: 15A. Märkning på höljet: A1492. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 130W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3856

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Kollektorström: 17A. Pd (effektförlust, max): 200W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3858

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 400 MHz. Funktion: Hi-def, Cre=2.2pF. Kollektorström: 0.2A. Pd (effektförlust, max): 8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3953

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/S. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.75W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF-S. Kollektorström: 2A. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: TV-NF-L. Kollektorström: 2A. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC4381

Kostnad): 60pF. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Högspännings-PNP-transistor för ljud- och allmänna applikationer.. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): FM20 (TO220F). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC4382. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: NF-L. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC4466

Kostnad): 36pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: NF, lo-sat. Max hFE-förstärkning: 270. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 5A. Märkning på höljet: AG*. Ekvivalenta: LG 0TRRH80034A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89 ( MTP3 ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC4672. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): 2-10R1A. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 230V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC4793. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 320pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 10A. Märkning på höljet: A1941. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1A. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC5198. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 360pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30MHz. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 15A. Märkning på höljet: A1943 (O). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC5200. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS