Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner
0
Produktkategori :
Audio
>
306
Automatisering
>
19
Computer
>
56
Elektriskt skydd
>
1127
Energi
>
1330
Fritidselektronik
>
539
Halvledare
>
14454
Kablar
>
1768
Kapslingar för elektronik
>
1201
Kontakter
>
5629
Kyl
>
751
Mekaniska delar
>
439
Optoelektronik
>
1956
Passiva komponenter
>
14443
Reläer
>
850
Reparation
>
933
Transformatorer
>
554
Växlar
>
929
Verktyg
>
1370
Halvledare
Transistorer

Transistorer

3167 tillgängliga produkter
Produkter per sida :
1...234 56...127
Antal i lager : 76
2N6488

2N6488

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Funktion: Förstärkare och switchade appl...
2N6488
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Funktion: Förstärkare och switchade applikationer. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6491. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2N6488
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Funktion: Förstärkare och switchade applikationer. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6491. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Set med 1
22.71kr moms incl.
(18.17kr exkl. moms)
22.71kr
Slut i lager
2N6488-HTC

2N6488-HTC

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, ...
2N6488-HTC
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 90V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6491
2N6488-HTC
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 90V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6491
Set med 1
18.56kr moms incl.
(14.85kr exkl. moms)
18.56kr
Antal i lager : 300
2N6488G

2N6488G

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Ge...
2N6488G
RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N6488G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 15mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 5 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.075W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
2N6488G
RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N6488G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 15mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 5 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.075W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
Set med 1
21.21kr moms incl.
(16.97kr exkl. moms)
21.21kr
Antal i lager : 125
2N6491

2N6491

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-fÃ...
2N6491
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6488
2N6491
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6488
Set med 1
18.51kr moms incl.
(14.81kr exkl. moms)
18.51kr
Antal i lager : 39
2N6491-PMC

2N6491-PMC

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3....
2N6491-PMC
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 90V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6488
2N6491-PMC
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 90V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6488
Set med 1
15.60kr moms incl.
(12.48kr exkl. moms)
15.60kr
Antal i lager : 345
2N6517

2N6517

Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Max hFE...
2N6517
Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: NPN epitaxiell kiseltransistor. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6520. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2N6517
Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: NPN epitaxiell kiseltransistor. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6520. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Set med 1
3.71kr moms incl.
(2.97kr exkl. moms)
3.71kr
Antal i lager : 4416
2N6520

2N6520

Hölje: TO-92. Motstånd B: Krafttransistor. BE-motstånd: -350V. C(tum): 100pF. Kostnad): 6pF. Anta...
2N6520
Hölje: TO-92. Motstånd B: Krafttransistor. BE-motstånd: -350V. C(tum): 100pF. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6517. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2N6520
Hölje: TO-92. Motstånd B: Krafttransistor. BE-motstånd: -350V. C(tum): 100pF. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6517. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Set med 10
6.30kr moms incl.
(5.04kr exkl. moms)
6.30kr
Antal i lager : 11
2N6550

2N6550

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-46. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretsko...
2N6550
RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-46. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N6550. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +125°C
2N6550
RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-46. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N6550. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +125°C
Set med 1
681.33kr moms incl.
(545.06kr exkl. moms)
681.33kr
Antal i lager : 114
2N7000

2N7000

C(tum): 60pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): ...
2N7000
C(tum): 60pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (max): 1000uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 2n7000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Resistans Rds På: 5 Ohms. Vikt: 0.18g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10 ns. Td(på): 10 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): O-92Ammo-Pack. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
2N7000
C(tum): 60pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (max): 1000uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 2n7000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Resistans Rds På: 5 Ohms. Vikt: 0.18g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10 ns. Td(på): 10 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): O-92Ammo-Pack. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 5
10.89kr moms incl.
(8.71kr exkl. moms)
10.89kr
Antal i lager : 124
2N7000-ONS

2N7000-ONS

C(tum): 60pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): ...
2N7000-ONS
C(tum): 60pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (max): 1000uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 2n7000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Resistans Rds På: 5 Ohms. Vikt: 0.18g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10 ns. Td(på): 10 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
2N7000-ONS
C(tum): 60pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (max): 1000uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 2n7000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Resistans Rds På: 5 Ohms. Vikt: 0.18g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10 ns. Td(på): 10 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
5.09kr moms incl.
(4.07kr exkl. moms)
5.09kr
Antal i lager : 7094
2N7002

2N7002

RoHS: ja. C(tum): 50pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET....
2N7002
RoHS: ja. C(tum): 50pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: MOSFET-transistor med liten signal. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 702. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Resistans Rds På: 7.5 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: V-MOS. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: 702. G-S Skydd: NINCS
2N7002
RoHS: ja. C(tum): 50pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: MOSFET-transistor med liten signal. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 702. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Resistans Rds På: 7.5 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: V-MOS. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: 702. G-S Skydd: NINCS
Set med 10
8.64kr moms incl.
(6.91kr exkl. moms)
8.64kr
Antal i lager : 3773
2N7002-7-F

2N7002-7-F

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration:...
2N7002-7-F
RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: K72. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 2.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 7.6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.37W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
2N7002-7-F
RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: K72. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 2.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 7.6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.37W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
Set med 5
11.36kr moms incl.
(9.09kr exkl. moms)
11.36kr
Antal i lager : 8367
2N7002DW

2N7002DW

C(tum): 22pF. Kostnad): 11pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 2. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): ...
2N7002DW
C(tum): 22pF. Kostnad): 11pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 2. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.14A. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: K72. Antal terminaler: 6. Pd (effektförlust, max): 400mW. Resistans Rds På: 3.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: "Förbättringsläge MOSFET". Hölje: SOT-363 ( SC-88 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Motorstyrning, Power Management. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
2N7002DW
C(tum): 22pF. Kostnad): 11pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 2. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.14A. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: K72. Antal terminaler: 6. Pd (effektförlust, max): 400mW. Resistans Rds På: 3.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: "Förbättringsläge MOSFET". Hölje: SOT-363 ( SC-88 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Motorstyrning, Power Management. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 5
4.80kr moms incl.
(3.84kr exkl. moms)
4.80kr
Antal i lager : 1929
2N7002T1-E3

2N7002T1-E3

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration:...
2N7002T1-E3
RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 72. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
2N7002T1-E3
RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 72. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
Set med 1
3.46kr moms incl.
(2.77kr exkl. moms)
3.46kr
Antal i lager : 5
2PG001

2PG001

C(tum): 580pF. Kostnad): 86pF. Kanaltyp: N. Funktion: Drivrutin för plasmaskärm. Kollektorström: ...
2PG001
C(tum): 580pF. Kostnad): 86pF. Kanaltyp: N. Funktion: Drivrutin för plasmaskärm. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 87 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220D-A1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
2PG001
C(tum): 580pF. Kostnad): 86pF. Kanaltyp: N. Funktion: Drivrutin för plasmaskärm. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 87 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220D-A1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
170.99kr moms incl.
(136.79kr exkl. moms)
170.99kr
Antal i lager : 6
2PG011

2PG011

C(tum): 1200pF. Kostnad): 125pF. Kanaltyp: N. Funktion: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Kollekt...
2PG011
C(tum): 1200pF. Kostnad): 125pF. Kanaltyp: N. Funktion: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 230A. Ic(T=100°C): 40A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 75 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220D-A1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 540V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
2PG011
C(tum): 1200pF. Kostnad): 125pF. Kanaltyp: N. Funktion: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 230A. Ic(T=100°C): 40A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 75 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220D-A1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 540V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
121.44kr moms incl.
(97.15kr exkl. moms)
121.44kr
Antal i lager : 10
2SA1012

2SA1012

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Kollektorström: ...
2SA1012
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Kollektorström: 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2562
2SA1012
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Kollektorström: 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2562
Set med 1
13.25kr moms incl.
(10.60kr exkl. moms)
13.25kr
Antal i lager : 4412
2SA1013

2SA1013

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-förstärkni...
2SA1013
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 1A. Märkning på höljet: A1013. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2383. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2SA1013
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 1A. Märkning på höljet: A1013. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2383. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Set med 1
4.88kr moms incl.
(3.90kr exkl. moms)
4.88kr
Antal i lager : 5574
2SA1013-Y

2SA1013-Y

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-förstärkni...
2SA1013-Y
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 160. Kollektorström: 1A. Märkning på höljet: A1013-Y. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2383. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2SA1013-Y
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 160. Kollektorström: 1A. Märkning på höljet: A1013-Y. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2383. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Set med 1
4.78kr moms incl.
(3.82kr exkl. moms)
4.78kr
Antal i lager : 180
2SA1015GR

2SA1015GR

Kostnad): 4pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: ljudförstärkar...
2SA1015GR
Kostnad): 4pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 0.15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.4W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92, 2-5F1B. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+125°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC1162. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2SA1015GR
Kostnad): 4pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 0.15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.4W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92, 2-5F1B. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+125°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC1162. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Set med 1
3.26kr moms incl.
(2.61kr exkl. moms)
3.26kr
Antal i lager : 9171
2SA1015Y

2SA1015Y

Kostnad): 4pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: hFE.120-240. Max...
2SA1015Y
Kostnad): 4pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: hFE.120-240. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 0.15A. Märkning på höljet: 1015 Y. Antal terminaler: 3. Temperatur: +125°C. Pd (effektförlust, max): 0.4W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+125°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC1815Y. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2SA1015Y
Kostnad): 4pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: hFE.120-240. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 0.15A. Märkning på höljet: 1015 Y. Antal terminaler: 3. Temperatur: +125°C. Pd (effektförlust, max): 0.4W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+125°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC1815Y. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Set med 10
20.18kr moms incl.
(16.14kr exkl. moms)
20.18kr
Antal i lager : 2
2SA1075

2SA1075

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: RM-60. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kret...
2SA1075
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: RM-60. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 12A. Maximal förlust Ptot [W]: 120W
2SA1075
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: RM-60. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 12A. Maximal förlust Ptot [W]: 120W
Set med 1
117.54kr moms incl.
(94.03kr exkl. moms)
117.54kr
Slut i lager
2SA1106

2SA1106

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust,...
2SA1106
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2581
2SA1106
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2581
Set med 1
38.06kr moms incl.
(30.45kr exkl. moms)
38.06kr
Antal i lager : 5
2SA1117

2SA1117

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Konfiguration: Genomgående hålmontering på krets...
2SA1117
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 200V. Samlarström Ic [A], max.: 17A. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: 17A. Driftstemperaturområde min (°C): PNP. Drifttemperaturområde max (°C): 200V
2SA1117
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 200V. Samlarström Ic [A], max.: 17A. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: 17A. Driftstemperaturområde min (°C): PNP. Drifttemperaturområde max (°C): 200V
Set med 1
117.46kr moms incl.
(93.97kr exkl. moms)
117.46kr
Antal i lager : 3
2SA1120

2SA1120

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration:...
2SA1120
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SA1120. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 170 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor
2SA1120
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SA1120. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 170 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor
Set med 1
13.63kr moms incl.
(10.90kr exkl. moms)
13.63kr
1...234 56...127

Information och teknisk hjälp

Via telefon :
Via e-post
Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.