Transistorer

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: S/VID. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxiell plan NPN-transistor . Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 450V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Vebo: 7V

Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: S/VID. Produktionsdatum: 2014/06. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 7V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 117W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 117W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Kollektorström: 2A. Pd (effektförlust, max): 35W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 250V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 175V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF-S. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.2 MHz. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N3772. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 20A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200kHz. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.2 MHz. Kollektorström: 16A. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.2 MHz. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 16A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 4 v. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N3773G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 140V. Samlarström Ic [A], max.: 16A. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: JFET. Funktion: VHF/RF-förstärkare. ID (T=25°C): 20mA. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N3820. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Komponentfamilj: P-kanal JFET transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): JFET. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 20V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 8V

C(tum): 8pF. Kostnad): 4pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Planar Die Construction". Tf(max): 75 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Hölje: TO-92. Tillverkarens märkning: 2N3904. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 40V. Kollektorström: 0.2A. Effekt: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: TO-92. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Si-Epitaxial PlanarTransistor. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammo-Pack. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N3906. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Kostnad): 20pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150...500 MHz. Funktion: S. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 75. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39 ( TO-5 ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 30pF. Kostnad): 6.5pF. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 0.6A. Ic(puls): 0.9A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 30 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: TO-92. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 30pF. Kostnad): 8.5pF. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 0.6A. Ic(puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 30 ns. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammo Pack. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.75V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 30pF. Kostnad): 8.5pF. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 0.6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 30 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -50V. Kollektorström: -50mA. Hölje: TO-92

Kostnad): 4pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 250. Kollektorström: 50mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 3V. Funktion: förförstärkare. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 10pF. Kostnad): 4pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Max hFE-förstärkning: 900. Minsta hFE-förstärkning: 300. Kollektorström: 100mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 35V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Funktion: HI-FI lågbrus förförstärkare. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1.2GHz. Max hFE-förstärkning: 210. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 0.4A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Vebo: 3V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS