Transistorer

Antal per fodral: 1. Funktion: P-FET S. ID (T=25°C): 6mA. Idss (max): 6mA. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18

Kostnad): 4pF. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 100mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 4.5V. Funktion: HI-FI lågbrus förförstärkare. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N5401. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401

C(tum): 75pF. Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Vebo: 4 v. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 75pF. Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: High Speed ​​​​Switching och linjär förstärkare. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 4.5pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: JFET. Funktion: Uni sym. Idss (max): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: JFET-transistor för allmänt ändamål. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 25V. Port-/källspänning Vgs: 3.5V. Grind/källa spänning (av) max.: 7V. Grind/källa spänning (av) min.: 1V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 53 ns. Typ av transistor: FET. Funktion: Uni sym. Idss (max): 16mA. IDss (min): 4mA. IGF: 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 4mA. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: JFET-transistor för allmänt ändamål. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 25V. Port-/källspänning Vgs: 4.5V. Grind/källa spänning (av) max.: 8V. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5pF. Kostnad): 2pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: JFET. Idss (max): 5mA. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: J-FET. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 25V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: VHF/UHF, RF-förstärkare

RoHS: ja. Hölje: TO-92. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 0.6A. Ic(puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 5551. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 25A. Ic(puls): 50A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N5886

Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 25A. Ic(puls): 50A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N5884. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N5886G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: PUT.. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -50...+100°C. Spec info: Programmerbar unijunction transistor

RoHS: ja. Komponentfamilj: Bipolär transistor, Single Layer (PUT). Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N6027G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 150mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: PUT.. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -50...+100°C. Spec info: Programmerbar unijunction transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: PUT.. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -50...+100°C. Spec info: Programmerbar unijunction transistor

RoHS: ja. Komponentfamilj: Bipolär transistor, Single Layer (PUT). Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N6028G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 150mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 750. Kollektorström: 12A. obs: b>750. Pd (effektförlust, max): 150W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 175 MHz. Funktion: VHF-O Tr. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 12W. Hölje (enligt datablad): M135. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 36V. Spec info: SD1012. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Kollektorström: 7A. obs: hFE 20. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: TO-220AB

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Kollektorström: 2A. Pd (effektförlust, max): 35W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 275V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 225V

BE-motstånd: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Kostnad): 400pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: hFE 750...180000. Max hFE-förstärkning: 18000. Minsta hFE-förstärkning: 750. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 40A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Vikt: 11.8g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6287. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N6287G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 20A. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-66. Hölje (enligt datablad): TO-66. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V