2N5886

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	89.53kr	111.91kr
2 - 2	85.05kr	106.31kr
3 - 4	80.57kr	100.71kr
5 - 9	76.10kr	95.13kr
10 - 19	74.31kr	92.89kr
20 - 29	72.52kr	90.65kr
30 - 168	69.83kr	87.29kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	89.53kr	111.91kr
2 - 2	85.05kr	106.31kr
3 - 4	80.57kr	100.71kr
5 - 9	76.10kr	95.13kr
10 - 19	74.31kr	92.89kr
20 - 29	72.52kr	90.65kr
30 - 168	69.83kr	87.29kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 168

Set med 1

2N5886. Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 25A. Ic(puls): 50A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N5884. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 12:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!