Transistorer
2SA1123
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 130. Kollektorström: 50mA. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: A1123. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxialhyveltyp . Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 130. Kollektorström: 50mA. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: A1123. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxialhyveltyp . Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V
2SA1127
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kret...
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/55V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/55V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W
2SA1141
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-f...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 15A. Märkning på höljet: A1141. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: SOT-199. Hölje (enligt datablad): SOT-199. Typ av transistor: PNP. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 15A. Märkning på höljet: A1141. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: SOT-199. Hölje (enligt datablad): SOT-199. Typ av transistor: PNP. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V
2SA1142
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlus...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 8W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 8W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V
2SA1144
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Kollektorström: 0.05A. Pd (effektförlu...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Kollektorström: 0.05A. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Kollektorström: 0.05A. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V
2SA1145
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-fö...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 50mA. obs: 9mm. Märkning på höljet: A1145 O. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2705. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 50mA. obs: 9mm. Märkning på höljet: A1145 O. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2705. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2SA1146-PMC
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: VCE(sat) 2V max. Max hFE-först...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: VCE(sat) 2V max. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2706
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: VCE(sat) 2V max. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2706
2SA1164
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kret...
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V/30V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V/30V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W
2SA1175
Motstånd B: 47. BE-motstånd: 47. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funkt...
Motstånd B: 47. BE-motstånd: 47. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Motstånd B: 47. BE-motstånd: 47. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2SA1177
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D6/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på krets...
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D6/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.15W
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D6/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.15W
2SA1179
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-236. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kre...
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-236. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 55V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 150mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-236. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 55V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 150mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W
2SA1198
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorströ...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.05A. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.05A. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V
2SA1200
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). ...
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W
2SA1208
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Högspänningsomkoppling. Koll...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Högspänningsomkoppling. Kollektorström: 0.07A. Ic(puls): 0.14A. obs: 9mm höjd. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SANYO--MP. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.14V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2910
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Högspänningsomkoppling. Kollektorström: 0.07A. Ic(puls): 0.14A. obs: 9mm höjd. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SANYO--MP. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.14V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2910
2SA1209
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Snabb växlingshastighet. Max ...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Snabb växlingshastighet. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 140mA. Märkning på höljet: A1209. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2911. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Snabb växlingshastighet. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 140mA. Märkning på höljet: A1209. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2911. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)
2SA1213Y
Kostnad): 40pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: ...
Kostnad): 40pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 2A. Märkning på höljet: NY. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): 2-5K1A. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck / SMD-kod NY. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Kostnad): 40pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 2A. Märkning på höljet: NY. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): 2-5K1A. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck / SMD-kod NY. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2SA1254
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D3/B. Konfiguration: Genomgående hålmontering på krets...
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D3/B. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W
RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D3/B. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W
2SA1265
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI, NF-E. Kollektorström: 1...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI, NF-E. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO3P ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3182. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI, NF-E. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO3P ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3182. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2SA1294
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 130W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3263
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 130W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3263
2SA1294-SKN
Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Funktion: HI-FI ljud. Ma...
Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Funktion: HI-FI ljud. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 130W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Tf(max): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): MT-100. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3263. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Funktion: HI-FI ljud. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 130W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Tf(max): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): MT-100. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3263. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2SA1295
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Kollektorström: 17A. Pd (effektförlust,...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Kollektorström: 17A. Pd (effektförlust, max): 200W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3264. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Kollektorström: 17A. Pd (effektförlust, max): 200W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3264. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V
2SA1301
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Kollektorström: 12A...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3280
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3280
2SA1302
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Kollektorström: 15A...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3281
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3281
2SA1303
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Kollektorström: 14A. Antal terminaler: 3...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Kollektorström: 14A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3284. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Kollektorström: 14A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3284. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2SA1306
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Koll...
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Kollektorström: 1.5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3298. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Kollektorström: 1.5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3298. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.